简介:自然数集按(mod6)排列后,将自然数符号螺旋对称分布的规律与自然律有机关联起来研究,从中发现数集中部分合数M中所包含相同素因子P,q周期分布与等距传递的规律,即双重素数P,q实项、虚项原构、同构同因子对应组螺旋对称分布结构的形式与规律,可模拟宇宙万物的时空螺旋运动状态,模拟DNA双螺旋结构碱基(A、T、G、C)序列遗传密码结构与形式。亦可作为一种创新方法开发应用研究,为研究DNA序列结构的数学编码,研究宏观宇宙、中观生物、微观质量的对应螺旋运动状态,预测宇宙万物相互关联相互作用的变化规律与趋势,构建基于宇宙中空时序的自然数双重素数因子对应组(多组)螺旋延伸的数码模型,高度抽象探讨与理解宇宙万物运动变化的原本规律,为相关问题的表述与解决提供数码螺旋的解决方案。
简介:证明了在场强为零势不为零的复连通区域,规范势沿粒子运动闭合路径的不可积积分是Berry几何相位。说明了由规范势构成的不可积相位因子中一部分是几何Berry相因子,并以电磁场为例说明规范场和相位因子的关系。因此不可积Berry相因子最完整地描述了与规范场有关的物理现象
简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.