简介：<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：由中欧新能源委员会发起主办的"第二届中欧国际太阳能光伏产业发展论坛"于2010年8月12-13日在上海隆重举行。会议的主题是"倡导低碳经济,推进新能源可持续发展",强生集团董事长沙晓林先生在会上作了"薄膜电池抢占光伏发电平价上网先机"报告,受到与会者一致好评,本刊特派记者进行了现场录音并加以整理,以飨读者。

简介：利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍（NiO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明：氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

简介：信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代.随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求.平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点.本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨.

简介：

简介：传统的角度调谐薄膜滤波器具有较低的间隔有效折射率的严重的角度灵敏度，它是难以制造的角度控制系统。在本文中，我们提出并制备了一种新型100GHzangletuned滤光片堆栈的低角度的敏感性，采用高折射率材料TiO2为间隔，其入射角可扩大到25°。与传统的ta2o5-sio2薄膜滤波器组相比，新型的堆叠层数少。使用偏振分束器和半波片，角度的偏振灵敏度调谐滤波器可以抑制。仿真结果和实验结果表明，与低角度敏感薄膜滤波器有一个有效的调谐范围为33nm，可以覆盖整个C波段，其角度控制系统易于制作。

简介：日前,我国首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司正式下线。消息传来,引起业内高度关注,有专家指出,该设备的研制成功和下线,填补了光伏电池高端设备国产化的空

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.推出0402和1206外形尺寸的器件,扩充其PATT精密车用薄膜片式电阻家族。器件提供镀金接头,可适应传统的焊膏组装和导电胶合电路板安装技术。薄膜PATT电阻的工作温度范围比大多数传统电阻宽85℃,在100%的散热功率下的工作温度可达+155℃,线性降额时温度可达+250℃。器件通过AEC-Q200认证,具有±25ppm/℃的绝对TCR,经过激光微调的公差低至±0.1%。电阻芯采用钽氮化物技术制造,具有固有的

简介：接近六月尾声,这是台积电新事业组织总经理蔡力行接手新事业的一周年,也是台积电宣示进军绿能产业的一周年。解决薄膜电池的量产困境顶着烈日,蔡力行风尘仆仆赶往上海,与会的除了他以外,还有台湾太阳能供应链的系统、崇越电,融程电、铭异也都派代表出席。此外,蔡力行还找来一批老朋友,像是前台积电客服部副总吴子倩、前应用材料副总裁张柏龄,都是这场会议的要角。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用金端接,可用于导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻阵列-ACAS0606ATAU,该电阻阵列把两个电阻集成在一个衬底上,可在155°C高温下工作,相对公差低至±0.05%,相对TCR低至±5ppm/K。除了优异的高温性能,ACAS0606ATAU系列对恶劣的环境条件还具有极好的耐受能力,且具有优秀的耐潮能力-在85°C和85%相对湿度下经过1000

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.增强其通过MIL-PRF-55342认证的E/H系列精密薄膜表面贴装电阻芯片,为重要的航天应用提供"T"级失效率。这些QPL器件经认定具有TCR特性E、H、K、L和M,有12种外形尺寸。为保证VishayDaleThinFilm电阻具有确定的可靠性,这些器件进行了100%的筛选和广泛的环境测试,包括100%的A组功率调节和B组抽样测试,通过这些测试对器件进行分级,认可达到"T"级失效率。另外,这些薄膜电阻满