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11 个结果
  • 简介:3.2.4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术,在电镀、喷漆的行业中,早已得到广泛的应用,它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去,并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度,从而有利于涂(镀)覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中,利用射流喷砂加工微孔技术,是近几年发展起来的新工艺。

  • 标签: 积层多层板 高密度互连 工艺 工件表面 加工技术 喷砂法
  • 简介:本文主要对高密度、高多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述,并主要针对高密度、高多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析,以便为高密度、高多层埋盲孔的钻孔提供参考。

  • 标签: 四槽定位法 钻机补偿法 钻带加放法 钻孔零位
  • 简介:在本文中,对两种基于不同设计的,具有高转矩密度,并且转速在不高于3000r/min时有1/3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术,逆变器供电,都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数,分别为1/2相和1/4相,其设计的持续运行的功率为45kW,额定转速为1000rpm,最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31.7kNm//m3(电机的有效体积,包括绕组端部)。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。

  • 标签: 永磁电机 转矩密度 集中绕组 高强度 冷却 测试条件
  • 简介:本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度,屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷:平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。

  • 标签: 功率MOSFET 单元密度 变换器效率 DC-DC 屏蔽 飞兆半导体公司
  • 简介:(中国无锡2010年2月2日)无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会,无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

  • 标签: 科技成果鉴定会 高电流密度 IGBT NPT型 无锡市 芯片
  • 简介:应用于EV/HFV(电动汽车和混合电动汽车)转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型(6-pack)IGBT模块。采取的创新措施有:采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3(氧化铝),而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4(氮化硅);开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

  • 标签: 电动汽车 IGBT 高功率
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正