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9 个结果
  • 简介:通过缩聚方法合成了主链含三苯胺结构的苝聚酰亚胺,将其负载在纳米二氧化钛膜上,光电转换性能测定结果表明,含三苯胺结构苝聚酰亚胺具有良好的光电转换特性,其光电流比不含三苯胺结构的苝聚酰亚胺大11倍。

  • 标签: 三苯 聚酰亚胺 苯胺 合成 缩聚 纳米二氧化钛
  • 简介:以联萘二酐、磺化二胺和含咪唑基团的非磺化二胺单体为原料,制备了一系列高相对分子质量的磺化聚酰亚胺,该类聚合物具有优异的溶解性和良好的成膜性.得到的质子交换膜具有优异的水解稳定性.苯并咪唑碱性基团的存在提高了磺化聚酰亚胺质子交换膜膜的溶胀稳定性和热稳定性、降低了膜的甲醇透过率.质子导电率测试结果表明,IEC值为2.55mequiv·g^-1的膜室温条件下的质子导电率为0.121S·cm^-1,高于在相同测试条件下Nation117膜的质子导电率(0.09S·cm^-1).

  • 标签: 燃料电池 质子交换膜 磺化聚酰亚胺 苯并咪唑 稳定性
  • 简介:多金属氧酸盐的修饰化学是近年发展起来的一个热点研究领域,其中多酸的亚胺化是一种非常有效的使多酸有机官能化的方法.有机胺能够将其π电子扩展到无机框架,产生较强的d-π相互作用,从而多金属氧酸盐有机胺衍生物和远程有机官能团可以作为构筑单元构建更为复杂的多金属氧酸盐-有机杂化材料.本文综述了作者研究小组运用密度泛函理论方法研究系列Lindqvist型多酸亚胺衍生物的稳定性、成键特征和非线性光学性质,深入探讨该类有机-无机杂化衍生物非线性光学性质的起源.

  • 标签: 多酸 多酸有机胺衍生物 密度泛函理论方法 稳定性 非线性光学性质
  • 简介:介绍了在软X-射线显微术研究领域中有重要应用的Si3N4薄膜窗口的实验室制作方法,并形成一套独特制备工艺,Si3N4薄膜窗口的研制成功推动了我国软X射线显微术研究的发展。

  • 标签: 软X射线显微术 Si3N4薄膜窗口 LPCVD 等离子体刻蚀
  • 简介:采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明,Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上),且靠近层的中心位置,此时它与周围原子间的作用力非常微弱,并且材料的导电性增强,使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.

  • 标签: PEO 夹层复合材料 掺杂位置 电子结构 五氧化二钒 锂离子
  • 简介:金刚石(110)表面具有不同方向上抛光速率的强烈不对称的特征,用第一性原理全能量平面波赝势方法模拟研究了类金刚石薄膜表面的结合强度与摩擦性能,确定了相互作用模型以及排斥力作用范围,研究了范德华排斥力在摩擦表面上的分布,研究结果表明,摩擦表层感受到的力在〈001〉和〈110〉2个方向上表现明显不同,而且〈110〉方向上摩擦力一直高于〈001〉方向上的摩擦力.

  • 标签: 类金刚石薄膜 结合强度 摩擦性能 第一原理分子动力学 计算机模拟
  • 简介:通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2’:5’2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13cm^2/V·s,开关比为7×10^3,阈值电压为-19V.

  • 标签: 并二噻吩 有机半导体 有机薄膜晶体管
  • 简介:合成了2个N-(2-乙胺)-9,10-二氢蒽-9,10-桥-α,β-琥珀酰亚胺希夫碱衍生物,利用单晶X-射线衍射法测定了它们的晶体结构.化合物1为正交晶系,Pca21空间群,晶胞参数a=1.13259(15)nm,b=2.5356(4)nm,c=0.83582(12)nm;α=90.00°,β=90.00°,γ=90.00°,V=2.4003(6)nm3,Z=4;化合物2为三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=1.0129(15)nm,b=1.1901(16)nm,c=1.3075(18)nm;α=67.17(3)°,β=72.88(3)°,γ=75.41(3)°,V=1.371(3)nm3,Z=2.

  • 标签: 希夫碱 晶体结构 芳香醛
  • 简介:设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩(BTTT)为末端芳香单元,噻吩(T)、二噻吩(bT)、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯(TP)或2,5-双(3-十二烷基噻吩)[3,2-b]并二噻吩(qT)为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35~-4.95eV和2.62~2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.

  • 标签: 有机薄膜晶体管 芳杂稠环化合物 共轭齐聚物 溶液加工