简介：盲孔压接区的污染问题是N＋N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为：半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。

简介：概述了含有金属纳米粒子的低温烧结型纳米导电胶及其应用,适用于形成细线化图形等.

简介：美国国家仪器公司（NI）日前宣布推出LabVIEW2014系统设计软件，该软件是NI平台的核心，包含了许多增强的功能，以帮助用户采集、分析和可视化数据，从而快速做出明智的决策。LabVIEW2014通过跨系统复用相同的代码和工程流程来标准化用户与硬件交互的方式，这一方式也使得工程师能够根据未来需求调整应用程序。

简介：2010年是复苏与回落并存的一年，虽然没有大的危机，但烦恼或许更多。我们的经济社会将会在2011年呈现出怎样的模样？这是每个人都急迫的疑问，对业界人士来说，它意味着对后危机时代变革趋势和商业机会的敏锐洞察与大胆展望。

简介：第四章3.4玻纤布(GlassCloth)3.4.1概述玻纤布,以往称玻璃布,今后统一称玻纤布(即玻璃纤维布的简称).玻纤布有别于日常生活中的布,玻纤布主要用于工业上,作隔热材料和结构材料等.玻纤布浸以树脂或绝缘漆,在电气行业中广泛用作绝缘材料.

简介：台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐，位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房，将同时兴建，预计2013年完工，这二座新厂，未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。

简介：最近印制电子技术发展日益完善，这项技术在传统印制电路板行业中也展现出巨大的应用前景。本文着重介绍了应用于印制电子的银纳米材料的发展现状，从与传统PCB导线制备工艺的比较中说明打印法制备银导线及材料的优势。文中还讨论了用于印制电子的纳米银材料的制备、墨水的配制、打印工艺、应用前景。

简介：文章以印刷RFID天线作为印刷电子技术的应用实例，介绍了利用纳米导电油墨印刷RFID天线的优势、进展与发展展望。

简介：本文论述了吸水对印制线路基材性能的影响及影响机理,提出了改善基材吸水的一般原则和方法,由于纳米复合材料的阻隔性,对降低印制线路基材的吸水率有一定的借鉴意义.

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：美国国家仪器（NI）与江苏卓胜微电子有限公司（卓胜微电子）宣布达成战略合作，旨在借力NI的高性能射频仪表以及产品的开放性和灵活性进一步提高射频开关（RFSwitches）的量产效率，提升产品质量。

简介：聚酰亚胺基板上的无粘结剂的铜将普遍应用于精细导线和高密度电子互连的领域.医疗、硬盘驱动和COF(chiponflex)应用上往往要求线宽/间距(L/S)为50μm(2mil)或更精细.

简介：喷墨技术应用到PCB将是一种趋势,而该技术的核心问题是导电浆料的制备。本文采用热溶剂化学还原法,还原AgNO3制得纳米银导电浆料,并通过XRD、TEM等手段表征了其结构及形貌。实验发现：在120℃下的纳米银为球、片混合状,粒径为40nm左右,符合喷墨要求。最后经过导电浆料的制备及150℃下的烧结,测得其导电性良好,在环氧基材表面附着力强。

简介：英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示，其14纳米制程工艺芯片已经完成设计，进入实验室测试。

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：中国4G牌照的发布为全球4G产业的发展注入了一股强劲的动力。但我们更不能忽视的是4G商用所带来的其他效应，尤其是给智能终端领域带来活力，例如全新的终端形态——可穿戴设备。

简介：11月3日，三星电子公布了第三代10纳米制程技术（10LPU）的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产，这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。

简介：芯片设计软件供应公司微捷码（Magma）设计自动化有限公司于近日宣布微捷码的Talus集成电路实现系统、QuartzSSTA统计分析工具、QuartzDFM（可制造性设计）、QuartzLVS以及SiliconSmartDFM能够通过中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）9.0版参考流程进行访问。

简介：主要介绍了纳米银材料的不同制备方法和表征方法，总结了不同合成条件对纳米银形貌的影响。有化学还原法、光化学还原法、银材料具有不同的光、电、磁和催化性能，出纳米银材料除了用于导电油墨的开发外，成本。电化学还原法和置换法。不同结构的纳米在PCB生产上具有极好的应用前景，特别指作为催化剂代替金属Pd能够有效降低生产成本。