简介：通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400℃和5∶100(O2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(<80Ω/sq)和较高的平均透过率(>80%)。

简介：分别采用乳化沥青和固体粉末沥青为包覆剂制备了硅碳锂离子电池负极材料,对材料进行了XRD、SEM表征,以及进行了循环伏安法等测试。使用乳化沥青为包覆剂制备的硅碳复合负极材料为类球状,形貌规整,首次容量为522mAh/g,效率达88.8%,循环10次后平均每周容量衰减1.6mAh/g。使用固体粉末沥青为包覆剂制备的硅碳负极材料为无规则形状,首次容量为480mAh/g,首次库伦效率为87.9%,循环10次后平均每周容量衰减1.9mAh/g。使用乳化沥青为包覆剂整体性能要好于使用固体粉末沥青为包覆剂制备的硅碳复合负极材料。

简介：<正>某河二级电站装有4×12500KW水力发电机组,各配有一套KFL-1型可控硅励磁装置。在离该电站2.5公里左右有一座大型水电站——一级电站,总装机容量为3×35000KW,主变压器容量为2×90000KVA。1980年二级电站KFL-1型可控硅励磁装置硅元件的阻容保护被烧毁两次,造成停机事故,一时找不出原因。后经了解:二级电站KFL-1型可控硅励

简介：据估计，全世界20％％左右的电力消耗在各种照明灯具上。所以，开发出节能、低成本、发光质量好的照明灯具一直是照明业界的追求。研发照明新技术的竞争也一直不断。

简介：面向小型可移动电子设备,其携带电池的能量密度成为一个重要技术指标。旨在展望电池技术发展趋势,本文针对各种典型电池(包括锂离子电池、锂空气电池、锂硫电池等)和新型硅-硫电池通过理论计算比较分析了其理论能量密度。研究表明:虽然锂空气电池和锂硫电池具有较大的理论能量密度,但是由于自身固有的树枝状晶体生长和低库伦效率,采用过量锂金属的解决方法极大地降低此类电池的能量密度。对于目前的锂离子电池而言,替换石墨阳极材料为硅材料可以一定程度上提高电池能量密度,理论值可达2100Wh/L。更进一步,基于转换式反应的新型锂化硅-硫电池能够实现更大电池能量密度,约为3000Wh/L,其值是目前商业化锂离子-石墨电池的四倍。因此,此类新型硅-硫电池能够满足未来3年~5年内的可移动电子设备的需求。同时,纳米技术可以从根本上解决此类电池自身粉末化问题,从而为其商业化提供可能。

简介：生物燃料、太阳能和风能等可再生资源目前成为全球投资热点，其中更加绿色和清洁的太阳能产业对电池板需求的扩大，使以多晶硅为原料的太阳能光伏电池的需求极速增长，业界开始担心目前的硅材料产业能否满足这一市场需要。

简介：近期，据从多家多晶硅企业了解到的信息称，商务部已确认在多品硅领域对美国发起“双反”立案，对韩同亦发起反倾销调合。

简介：多孔硅作为一种具有特殊功能的结构材料，在燃料电池特别是微型燃料电池中，可用作扩散层、质子交换层和重整器等构件。介绍了应用于微型燃料电池的多孔硅的结构特点及其制备方法，综述了多孔硅在微型燃料电池领域中的应用研究进展。

简介：近期，亚洲多晶硅大厂对于中国国内中、小厂近期计划复工之事，可能没有特别关心，但对旗鼓相当的竞争对手接下来的策略可能比较有兴趣，尤其是并列4大金刚的美国Hemlock、德国Wacker、韩国OCI及中国国内保利协鑫（GCL），正值短兵相接之际，各自未来价格策略走势备受市场关注。

简介：4月18日，由晟朗能源科技有限公司投资建设的国内最大多晶硅项目在山东济南商河经济开发区正式动工。

简介：近期，有消息称，中国多晶硅制造商正向政府施压，欲对美国进口产品征收关税，此举旨在推高多晶硅原料价格，从而与海外多晶硅供应商竞争。

简介：传统三端双向可控硅（TRIAC）调光器适合于用来调节白炽灯和卤素灯这类电阻性负载，当用其对发光二极管（LED）调光时会产生闪烁，更不能实现宽范围的调光控制。美国推出一种世界首款可控硅调光离线式交流，直流发光二极管（LED）驱动器（LM3445），能够实现无闪烁平稳调光和100：1的调光比，并支持主，从控制功能的多芯片解决方案，使用一个调光器即能控制和驱动多串大功率发光二极管（LED）。

简介：30多年前由赛米控公司发明的世界上第一颗绝缘功率模块SEMIPACK现已发展到了第6代。对于电流从20A到118A的应用来说，SEMIPACK1沿用了前几代产品的基本设计，但是电流输出能力却提高了10％，同时通过模块内部机械设计的改进，也明显地提高了其可靠性。这些可控硅模块、二极管模块或可控硅／二极管组合模块可以应用于变频器或UPS的输入整流器（单相、三相、不可控、半控或全控），