简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。

简介：

简介：<正>采用软件模拟电阻焊工艺可节约大量的时间和成本,本文举例证明了采用有限元模型软件(又称为Sorpas)是如何做到这点的。该软件已经应用在电阻焊工件和接头的辅助设计中,

简介：文章介绍了应用于石油储罐的水性环氧有机硅类防腐涂料，并重点讨论分析了影响其防腐性、耐热性的主要因素，并对其制备的水性环氧有机硅防腐涂料的性能进行了测试研究。

简介：防腐层绝缘电阻的现场测定主要有选频变频法和管中电流法2种。通过现场测试对比和开挖验证，考察了2种方法，尤其考察了管中电流法在市政管道检测的可行性。

简介：生产高质量铸件的低压铸造工艺可以用来制造DuralcanA1-SiCp复合材料.添加不同百分含量(质量分数ω分别为9%、15%、20%和25%)的硅,随后可通过低压铸造工艺来铸造复合材料.2mm壁厚、无缺陷、高质量的高硅复合材料铸件也可以通过这种工艺获得.低压铸造工艺铸造出来的复合材料铸件的显微结构显示出颗粒呈均匀的分布,材料具有良好的强度性能.

简介：为了揭示反应润湿扩散过程的物理本质,提出一种解释其驱动力和润湿机理的能量模型。在真空条件下采用通管滴落法,研究熔融的Al及Cu-Si合金在石墨基板上的反应润湿铺展过程,由轴对称形状分析软件（ADSA）测量摄入图像的接触角。研究典型反应润湿的热力学和动力学过程,推导能量关系的热力学方程,计算石墨表面能和三相线处固-液界面能相对于时间的变化值,并建立关于界面能的动力学模型。借助实验验证该模型的合理性,表明在反应过程中固液界面能随时间呈指数关系下降。从能量角度可为反应润湿过程提供一种新的解释方法。

简介：随着我国半导体工业集成电路（IC）业的快速发展，硅材料加工用金刚石工具具有非常大的市场。本文从硅材料及其加工用金刚石工具与加工技术的发展现状与趋势进行了简要综述。指出了硅材料生产及其加工在半导体与集成电路生产中具有的重大作用与地位。

简介：依据标准GB1410-89《固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》对聚乙烯胶粘带的体积电阻率进行测试，分析了测量不确定度的来源，并对各个分量进行评定、合成，得出在该试验条件下聚乙烯胶粘带体积电阻率的测量不确定度。

简介：水热合成并表征水硅铀矿,在此基础上对水硅铀矿在硫酸体系中的浸出过程进行研究,并将结果与其他相关的合成U4+矿物如氧化铀(UO2)和钛铀矿(UTi2O6)在类似条件下的浸出速率和浸出率进行比较。浸出时间对铀溶出影响的研究表明,水硅铀矿在36~48h被完全浸出,该反应的活化能为38.4kJ/mol。与水硅铀矿相比,氧化铀矿的溶出速率明显较快,可以在3h内达到完全溶出(Ea=42~84kJ/mol)。比较而言,合成钛铀矿的浸出速率较水硅铀矿的明显更低,其144h铀的最大浸出率只有18%。上述3种矿物溶出速率和提取率的显著区别与文献报道相符合,即矿物的可溶出性为氧化铀>水硅铀矿>钛铀矿。在天然水硅铀矿中,由于杂质的存在,其可溶出性可能会被进一步抑制。

简介：本文分析了亚微米金刚石微粉中硅化合物的来源，并提出了一种解决方法。

简介：据科学日报报道，想象一下你想要某个物体一模一样的复制品，再设想下你从口袋里拿出手机，利用手机里集成的3D成像器拍张照，然后发送给3D打印机，在数分钟内你就获得了一个精确的复制品，后者与原始物体的精确误差为微米范同。多亏了美国加州理工学院发明的一种新型、高分辨率的微型3D成像器，这一设想可能很快将变为现实。

简介：为提高硼的去除率，研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO2-BaO-CaF2四元渣和熔硅之间的分配系数LB，讨论了四元渣系中CaO/SiO2质量比、BaO和CaF2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明：随着CaO.SiO2渣中BaO和CaF2含量的增大，LB值增大。当CaO/SiO2质量比为1.1:1、BaO和CaF2含量分别为15%和20%时，CaO.SiO2.BaO.CaF2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好，LB达到最大值6.94，并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后，熔硅中硼含量由3.5×10.5降到3.7×10.6，硼的去除率达到89.4%。

简介：介绍了百米磁场下降法测量埋地管道外涂层绝缘电阻的技术，对施测手段、操作要点、计算方法及检测中应注意的问题进行了论述。

简介：对AA6111铝合金电阻点焊接头的显微组织、显微硬度和准静态失效行为进行分析。利用光学金相显微技术和高分辨率硬度测量方法对接头的焊核区、热影响区和母材金属区进行表征。结果表明,焊核区的硬度低于母材金属区的,热影响区的硬度高于或接近于母材金属区的。母材金属板材的硬度沿厚度方向发生变化,为准确分析焊接工艺对接头性能的影响,这种变化需考虑在内。通过准静态搭接剪切试验得到焊接接头的失效载荷和失效模式。所有接头以结合面断裂方式破坏,这种失效模式与焊核区的低硬度现象一致。

简介：目前高密度电阻率法所采用的数据处理方法主要是将地质结构体视为二度体进行二维处理，因而二维数据资料处理结果只是一种近似解释，其计算精度与反演效果达不到精确反演的要求。设计两种典型的电阻率异常地质体模型，利用有限单元法进行正演计算。为更真实地模拟实测数据并分析二维、三维反演算法对噪声的敏感度，在正演剖面中加入1%的高斯随机误差，然后再分别利用最小二乘法进行高密度电阻率法二维、三维反演。对比二维和三维高密度电阻率法的反演水平切片及垂直切片图可知，三维反演受高斯随机误差的影响更小，反演结果在模型异常位置、形态和电阻率特性反映上都比二维反演的效果更好，与实际地质模型更接近。

简介：分析了涂药器的结构工艺特点，并根据市场要求和生产实际进行该注射模设计，该模具总体结构合理，各部分设计要点明确。一次试模成功，塑件质量好。

简介：本文在分析预压紧钩形工具材料焊接性能的基础上，制定了合理的焊接修复工艺措施，选用适合的焊接材料，实施预压紧钩形工具的焊修。经使用证明该焊修工艺切实可行。

简介：采用丝印法在铝基板上制备具有低室温电阻率、适中热敏常数的负温度系数BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3/Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3复合热敏厚膜。采用数字多用表、吉时利2400和阻抗分析仪对热敏厚膜的电学性能进行表征。结果表明：随着Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3含量从0.05增加至0.25,厚膜的室温电阻率、热敏常数和峰值电压均有所增加且分别处于1.47-26.5Ω·cm、678-1345K和18.9-47.0V范围内,厚膜峰值电压对应的电流也有所降低且处于40-240mA范围。阻抗谱测试表明,这些热敏厚膜表现出非正常的异质电学微结构行为,由高阻态的晶粒和较低电阻态的晶界区域构成。由此可知,在BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3中添加Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3改善了热敏行为但也恶化了电流特征.