简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：从对电子衰变的实验测量和500Mev中子和质子弹性散射,得到了电荷守恒的微小破坏,并简要地评述了电荷守恒定律所遇到的破坏及认识。

简介：用面积分的方法代替传统的对称性分析方法,求解了点电荷对几种特殊形状平面的电通量问题,给出了普适的表达式。基于这些解析表达式,我们讨论了如下几点：点电荷相对平面处于几个特殊位置时的电通量;点电荷对无限大平面的电通量;点电荷处于平面上的极限情况下的电通量。这些重要结论将进一步明晰与丰富电通量问题的教学研究内容。

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：若无限长均匀带电直导线（线电荷）与接地平板系统的电场是二维静电场,当求解区域可视为为多边形时,则可应用S-C映射法和电像法为统一模型,求解出线电荷在求解区域所激发的电势。

简介：提出了一个基于约瑟夫森电荷量子比特实现未知三粒子的GHZ态的方案。在这方案中,三对两粒子纠缠态作为量子通道。此外,不需要bell测量。以目前的技术,在该方案中所用到的设备都可以实现。

简介：应用原子键电负性均衡方法模型（ABEEMσπ模型）,通过大量量子化学计算,拟合确定了含碱金属和碱土金属的卤化物体系的ABEEMσπ参数.ABEEMσπ模型计算得到的电荷分布与从头算计算的电荷分布有很好的一致性.同时计算了模型分子的偶极矩,与实验值具有很好的一致性.研究表明ABEEMσπ模型可以很好地应用于含碱金属和碱土金属的卤化物的结构和性质的分析.

简介：利用量子化学从头计算法ＲＨＦ／４３１Ｇ基组对氢氰酸硼氢化反应中的电子行为和轨道对称性进行了讨论．结果表明：在氢氰酸硼氢化反应中，从表面上看是对称性禁阻的“类四中心”过渡态，实质上是对称性允许的两组四中心三轨道相互作用．

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：用密度泛函理论,在B3LYP/6-311＋＋G＊＊计算水平下分别对尿嘧啶所有的气相、液相、过渡态和质子转移异构体的结构进行全优化,获得它们在气相和水相中的几何结构和电子结构,PCM反应场溶剂模型用于水相计算.结果显示：在气相和水相中,水参与反应降低了互变异构质子迁移的反应活化能,对互变异构质子迁移的反应起到催化作用,但是没有改变各异构体的稳定性顺序.同时研究了尿嘧啶各烯醇式水助质子互变异构的反应机理,提出了尿嘧啶各烯醇式互变异构质子迁移的反应为平面六元环的过渡态结构.探讨了溶剂化效应对互变异构体的几何结构、能量、电荷分布以及互变异构反应活化能的影响等.

简介：提出了一种求解离子晶体等价格点的单粒子离子Dirac方程方法，确定离子晶体的点电荷电量。利用阴阳离子上分配的价电子数之比，给出了计算离子晶体化学键性质的关单式计算了MX（M=Li、Na、K、Rb、X=F、Cl、Br、I）系列晶体点电产电量值和化学键性质，得到了比较好的结果

简介：利用同源模建和分子动力学模拟方法搭建了鼠源雌激素硫酸转移酶的三维结构，并用Profile-3D和Prostat评估了模型的可靠性．鼠源雌激素硫酸转移酶的三维结构的提出对硫酸转移酶家族催化机理的深入研究提供了重要的参考信息．

简介：利用Markov状态转移模型捕捉金融资产收益率序列的非线性、动态的结构性变化，考虑不同市场状态下资金在地区板块、行业板块间流动导致的板块轮动效应，构建基于状态转移的跨地区、跨行业资产配置模型。在此基础上，对市场状态和地区、行业板块轮动效应对资产配置的影响进行细致分析。研究发现：中国股票市场存在明显的动态结构性变化，可以分为熊市状态和牛市状态，两种市场状态下最优资产配置结构不同。结果表明，状态转移框架下的跨地区和跨行业资产配置能够刻画非对称市场状态下资产的收益和风险特征，分散非系统性风险的同时降低市场风险，提高投资者的收益，可以为投资者决策提供有价值的参考。

简介：设A是一个每列至少有二个元素为1的不可约0,1方阵,(∑A,σA)为由A所决定的符号空间有限型子转移.在∑A上定义一个与其拓扑相容的度量d使得(∑A,d)的Hausdorff维数为1.若C是H1可测的σA的LiYorke混沌集,则H1(C)=0;若A是本原的,则存在一个σA的有限型混沌集S使得H1(S)=1,其中H1为1维的Hausdorff测度

简介：利用匹配渐近展开法,讨论了一类边界层位置转移的非线性奇摄动边值问题,并且通过对参数的五种不同取值的分类探讨,得到了该问题具有左边界层、右边界层或内部层之一的结论（其中左、右边界层又各分为两种类型）.进而给出了该问题解的一致有效的零次渐近解,推广并改进了已有的结果.

简介：研究了吖啶橙（AO）与罗丹明B（RB）间发生能量转移的最佳条件,在pH=6.80的Britton-Robinson（B-R）缓冲溶液,十二烷基苯磺酸钠的介质中,AO-RB间发生有效能量转移,使RB荧光大大增强,叶酸（FA）的加入使能量转移体系的RB的荧光强度降低,即发生猝灭.以此建立了利用AO-RB能量转移荧光猝灭法测定叶酸的新方法.在优化的实验条件下,叶酸含量在2.0×10-6～8.0×10-5mol.L-1范围内与RB的荧光猝灭程度成良好的线性关系,相关系数0.9998,检出限为3.3×10-7mol.L-1.平行6次测定相对标准偏差为0.62%～0.94%,回收率为85.0%～105%,该方法稳定性好,选择性高,用于叶酸片中叶酸含量的测定,结果满意.

简介：本文讨论了用状态驻留时间来模型化传统的HMM模型。HMM的一个基本假设是它认为语音信号是准平稳的。然而由状态输出yt的HMM模型，并不能很好地表征语音信号中平稳段或平稳段之间的具体特征；由转移弧产生输出的自左向右HMM系统,则对语音特征作更为细致的描述。本文主要讨论在[2]的基础上,对新建模型进行参数估计。

简介：采用1-氨基蒽醌经酰氯化，合成含双键的单体，再与丙烯酰胺单体共聚，随后对共聚物进行了Hofmann反应，制得含伯胺侧基和蒽醌生色团的水溶性聚合物．利用傅立叶红外光谱、核磁共振氢谱及紫外，可见光等测试手段对所合成的聚合物的结构进行了表征，并探讨了含蒽醌生色团的水溶性聚合物的光致电子转移性能．