简介：文中提出了一种片上FLASH替换设计方法,在不改变原FLASH控制逻辑的情况下,通过增加接口转换逻辑,在原FLASH控制接口与新FLASHIP接口之间进行功能与时序的转换,实现片上FLASH的替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来的风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新的FLASHIP的工作要求,并在某SOC的FLASHIP替换中应用。

简介：嵌入式应用中，单指令流多数据流（SIMD，singleinstructionmultipledata）结构的向量处理器在蓬勃发展的同时，也面临着如何高效利用其丰富处理资源的问题。在SIMD的向量结构上，处理实际应用中无法被向量化运算的部分，尤其是很多非向量化的循环内部往往含有体间相关，使得SIMD结构的丰富运算资源处于空闲状态。因此，传统的SIMD结构受限于此类应用。提出了一种变型的向量处理器，在保持传统SIMD处理数据并行应用高效性的同时，能够高效地执行包含循环体间数据相关的代码段。实验结果表明，它能获得2．4倍的性能加速，而仅仅占用0．97％的面积开销。

简介：模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2VCMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

简介：智慧城市是解决当前城市发展难题和实现可持续发展的重要途径，其总体架构设计十分重要，参考美国国家标准技术研究院（NIST）云计算模型，结合国家智慧城市试点建设情况，提出了一个包括物理资源层、资源提取与控制层、基础设施服务层、平台服务层、用户服务层的系统总体架构。该架构一方面将云计算技术与具体应用相结合，另一方面也体现了当前我国智慧城市应用中的建设需求，可为未来系统建设提供参考。

简介：文章在碰撞二叉树算法（CT）技术的基础上提出一种用于433MHz频段下的标签防碰撞算法——改进型碰撞二叉树算法（ICT）,可以很好地对各类土地的地形分布数量等特征进行测量。该算法根据首次碰撞码字进行前缀生成和标签组区分,在标签快速识别中,对每一个标签使用了一个计数器和一个指针,用来记录阅读器的历史序列,从而使得阅读器不需要传输整个前缀序列。仿真结果表明,ICT算法在当标签ID具有类似的前缀时,表现出优于CT算法的性能。

简介：提出了一种基于协议重构的内外网逻辑隔离新方法，通过重构现有公共通信协议，形成专有协议，实现内网专有用户与公共用户隔离。在内网中，公共用户能访问外网，而专有用户与外网“逻辑隔离”。相对于物理隔离方法，这种方法在保证内网安全性能的前提下，满足了内网用户对外信息的需求，提高了信息交流的灵活度；相对于传统协议隔离方法，这种方法投入小、技术风险低，实用性更强。

简介：在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

简介：静态存储器（SRAM）功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,并且大规模SRAM的仿真在芯片设计中也相当费时。提出了一种基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片的SRAM单元结构,并为该结构设计了外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构的SRAM单元在保证正确的读写操作下,静态漏电电流远远小于同工艺下普通阈值CMOS管构造的SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述的行为级模型,完成了整个设计的功能验证。

简介：为了解决动目标检测过程中的盲速问题,通常采用参差周期法设计参差滤波器组来达到同时抑制杂波和推远盲速的效果。提出了一种基于梯度免疫算法的参差MTI滤波器优化设计。该算法利用免疫算法搜索最优参差码,有效地避免了传统遗传算法中的早熟问题。针对传统的遗传算法运算量较大的问题,引入了梯度算子缩小初始种群规模,使运算量大大减少。仿真结果验证了算法的可行性和有效性。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400MHz～1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

简介：目前,开关电源以小型、轻量和高效率等特点被广泛应用于几乎所有的电子设备,电源系统通常被称为＂心脏系统＂,有着其他系统不可比拟的重要地位。随着科学技术的发展,各种用电装备系统对于电源的要求也越来越高,电源组件直接影响着装备系统的体积、重量和可靠性。文章以一个小型化隔离型双路输出DC/DC变换器作为设计实例,通过对实际电路的分析,详细说明其工作原理及主要器件的取值或计算方法。

简介：<正>北京-电子设计创新会议(EDICON2014)─2014年4月9日─Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDICON2014)上,宣布UltraCMOSGlobal1在大中华地区首次亮相。UltraCMOSGlobal1是行业中第一个可重构射频前端(RFFE)系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,Ul-traCMOSGlobal1是单一平台的设计──一个SKU,全球使用──能够在全球所有地区运作。该系统包括产业界第一个LTECMOS功率放大器(PA),它

简介：<正>Diodes推出低压1MH-z升压型直流-直流转换器PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0