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氮化
硅
薄膜制备及其质量控制方法研究马静
作者:
马静安静
学科:
社会学
创建时间:2019-11-21
出处:
《科学与技术》
2019年第11期
机构:(西安微晶微电子有限公司陕西省西安市710000)
简介:
标签:
半导体
VDMOS功率器件
钝化膜层
正交试验
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氮化
硅
薄膜制备及其质量控制方法研究马静
氮化
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薄膜制备及其质量控制方法研究马静
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