简介：讨论了噪声辐射源的测向问题，提出了一种基于时延估计的宽带测向算法。该算法将时延估计转化成频率估计，克服了基线距离要小于信号半波长的限制。结合高分辨率谱估计的MUSIC算法，实现了多信号频率估计。基于噪声信号的特殊性，分析了一种信号个数估计方法。仿真试验表明，在一定条件下，该方法能实现多噪声辐射源的信号个数估计以及各信号波达角估计（DOA）。

简介：

简介：介绍了S波段极低噪声超导滤波放大组件的设计过程,采用了低温仿真建模和拓扑结构优化设计关键技术。该组件将用于接收系统中的的低温接收前端,能提高雷达的灵敏度和有效作用距离。该组件由超导滤波器和低温放大器组成,具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。

简介：数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达，可以通过数字技术完成所需的若干功能，尤其是抗噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现，以及仿真和性能测试结果。

简介：本文根据人耳听觉机理，分析了人耳听觉感受和辨物过程，针对舰船辐射噪声识别，从音色的角度寻求新的基于听觉模型的目标识别特征。提出了舰船辐射噪声的谱通量、最大谱峰对应的频率值和时间重心三个听觉特征，研究了这三个听觉特征量的物理意义及提取方法，设计了适用于舰船辐射噪声分类识别的BP神经网络分类器。采用实际的舰船辐射噪声进行综合试验，从分类的结果可以得出，基于听觉特征提取方法对舰船辐射噪声识别率高于传统的统计特征提取方法，达到了预想的效果。

简介：文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器，采用0.6μmCMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法，同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz，噪声系数小于3dB，增益为24dB，增益平坦度为±1dB，输入1dB压缩点大于-15dBm。

简介：为了满足大批量生产的需求，从电路原理、工艺装配、调试测试等方面考虑，对放大组件中正交桥、限幅器、偏置电路、电压转换、放大电路和结构工艺等方面进行优化设计。并通过计算机仿真软件ADS和HFSS优化电路拓扑，采用表面贴装技术实现组件装配。有自适应功能的偏置电路稳定了FET的工作电流和工作电压，有效地简化了调试和工艺步骤。经试验验证，组件调试简单、一致性好，提高了生产效率，实现了稳定的批量生产。

简介：在超低噪声系统中，天线欧姆损耗噪声也是很重要的。利用金属导体表面的电磁波传播的反射系数，推导出不同极化波的反射面天线金属表面欧姆损耗引起的噪声温度计算公式。以铝合金面板为例，计算了多频段65m射电天文望远镜天线欧姆损耗的噪声温度。依据计算结果论述了天线欧姆损耗噪声的变化规律。

简介：掺饵光纤放大器(EDFA)的自动增益箝制技术在WDM光网络中具有重要的作用,本文采用BPF方案进行单波长自动增益箝制实验,并取得了满意的箝制效果.而后采用级联放大器的方法,增益箝制放大器的噪声特性得到进一步的优化.

简介：由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配,在3GHz～10GHz的频带范围内实现了增益G=29±1dB,噪声系数小于4dB。在1.8V工作电压下放大器的直流功耗约为35mW。

简介：采用可切换的跨导gm技术,基于TSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种超宽带LC压控振荡器VCO。利用两个可交替工作的前后两级晶体管栅极偏置有源核心模块,使得VCO工作在两种不同的模式下。而且,鉴于后级模块中晶体管的栅极偏置,使得后级模块具有较高的跨导,进一步加宽了VCO的振荡频率。最终芯片测试结果表明：该LCVCO在功耗6.2mW的前提下,振荡频率为4.1GHz-6.2GHz,在中心振荡频率5.15GHz下,振荡范围高达40.8%,且相位噪声达到-121.5dBc/Hz@1MHz。该VCO的芯片尺寸为0.56mm×0.58mm。

简介：采用双级级联单程放大实现高增益、低噪声的C波段掺铒光纤放大器(EDFA);采用双级级联双程放大实现高增益、超平坦的L波段EDFA.在此基础上,采用并联结构实现了30dB以上的高增益、3dB带宽为57nm的低噪声宽带EDFA.

简介：<正>TriQuintSemiconductor公司新推出三款Ka波段VSAT应用的低噪声放大器(LNA)IC,即TGA4506,TGA4507以及TGA4508。TGA4506在1.2mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为20～27GHz,典型噪声系数为2.2dB,增益为21dB,输出功率为+12dBm。TGA4507在1.86mm×0.85mm×0.1mm封装中工作频率为28GHz～36GHz,典型噪声系数为2.3dB,增益为22dB,输出功率为+12dBmP—1dB。TGA4508在1.7mm×0.8mm×0.1mm封装中工作频率为30GHz～42GHz,噪声系数为2.8dB,增益21dB,输出功率为+16dBmP—1dB。

简介：<正>AnalogDevices,Inc.近日发布三款全新的锁相环(PLL)器件ADF5355/ADF4355-2/ADF4155,其中一款具有业界最宽的频率覆盖范围和最低的压控振荡器(VCO)相位噪声,且在单个器件中实现这些性能。ADF5355PLL具有同类最宽的55MHz至14GHz频谱范围;而ADF4355-2PLL的频谱范围为55MHz至4.4GHz。这些器件可供需要单片高性能宽带频率合成器的RF和微波通信系统

简介：超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz~10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。

简介：<正>恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定位系统)的接收效果,同时继续保持恩智浦在此类产品市场上的体积最小。BGU700xLNA产品仅需两个外部元件,节省50%的PCB面积和10%的器件成本。

简介：现有的传感器配准算法主要有两大类,一类是基于立体投影的二维空间配准技术,这类方法在投影时扭曲了数据,且无法估计俯仰角系统误差;一类是基于地心坐标的三维空间中的配准技术,这类方法由于在计算时很少考虑到测量噪声对传感器系统误差估计产生的影响,实际的估计效果较差。为此,通过在地心坐标系下对系统进行建模,提出了两种考虑测量噪声的三维空间传感器配准算法：一种基于合作目标,一种基于公共量测。最后通过蒙特卡洛仿真验证了算法的有效性。

简介：文章实现了一种应用于串行通信中的抗噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信，传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样，但是由于各种随机噪声的干扰，会引起数据采样错误，造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加，再根据累加和判断出窗口期内正确数据位，从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据，这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声，极大增强了接收电路的抗噪声性能。

简介：德州仪器（TI）宣布推出一款带4通道分组式延迟的串行控制16通道恒流LED驱动器，可显著简化视频显示、留言板、娱乐照明和LED指示灯等LED显示应用的设计工作。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。