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  • 简介:针对本科生晶体放大电路实验中,放大倍数实测值误差较大,且普遍存在理论值偏大,实测值偏小的异常现象,寻找到了电容是产生这种现象的主要原因。通过实验,验证了容量大的电容会明显降低放大倍数的误差。

  • 标签: 电子技术实验 晶体管放大电路 放大倍数 误差
  • 简介:晶体多级放大器,是应用晶体三种基本放大电路各自的特点,再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数,又要有合适的输入、输出电阻,并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强,学生感到难学,可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。

  • 标签: 晶体管 多级放大器 教学思考
  • 简介:本文从长期工作实践中摸索总结出晶体电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.

  • 标签: 软故障 晶体管 电阻 电容
  • 简介:本文介绍一个实用的晶体开关电路(如图1),用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

  • 标签: 晶体管 介电常数
  • 简介:摘要稳压直流稳压电源的优点是电路简单、使用的元件少、在负载变化较小时可达到很高的稳定度,可作为标准电源,所以在小功率的设备中应用较为广泛。本文详细论述了晶体稳压电路的工作原理、实际电路设计的工程计算及参数确定。

  • 标签: 晶体管 稳压原理 工程计算
  • 简介:分析晶体三极三种组态电路H混合参数,用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极H参数与其共发射极组态H参数的关系,说明不同组态电路有相同的电路形式。

  • 标签: 晶体三极管 组态 H参数 等效微变电路 讯号流图
  • 简介:本文通过研究晶体、场效应电路符号,揭示了晶体、场效应电路符号表示的意义.并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体、场效应的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体、场效应对应的电路符号.期望本文对学习涉及晶体、场效应管有关理论知识的学生有所帮助.

  • 标签: 场效应管 电路符号 晶体管 符号表示 理论知识 学生
  • 简介:文章叙述了放大电路在小信号作用下,晶体线性化电路模型的形成过程,并指出晶体线性化处理在工程计算上带来的好处。

  • 标签: 晶体管 小信号 线性化 电路模型
  • 简介:使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极,并制备了高性能的有机晶体器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力,可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

  • 标签: 喷墨打印 银墨水 短沟道 有机晶体管
  • 简介:本文讨论了多级晶体放大器引入负反馈后,利用微变等效电路分析法对负反馈放大器的电压增益进行分析,以引入电压串联负反馈为例展开,并就分析值与仿真结果进行了对比.

  • 标签: 晶体管 多级放大器 负反馈 微变等效电路
  • 简介:图(1)是具有比较放大器的串联型晶体稳压电路,很多电子专业书刊上都这样定性分析其工作原理:假设负载电流I0减小或输入电压Ui增大,都要引起输出电压U0增大,则R2两端取样电压也增大,即T2基极电位UB2增高,由于T2的发射极接有基准电压U2,使UE2基本不变,

  • 标签: 串联型 稳压电路 基准电压 工作原理 输出电压 专业书刊
  • 简介:本文从分析晶体的热过程入手,得出了晶体的热阻Rt与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式.再通过对晶体散热途径的分析及前面所得的关系式,得出了大功率晶体及集成电路为什么要安装散热器.这种分析方法逻辑合理,过程清楚,理论充分,这种分析方法以前是没有的.

  • 标签: 大功率晶体管 集成电路 集电极 耗散功率 散热 热阻
  • 简介:TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体产品。TriQuint的氮化镓晶体可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W(CW)射频输出功率。

  • 标签: 功率晶体管 氮化镓 放大器 尺寸 半导体公司 输出功率
  • 简介:摘要:PNP功率晶体放大倍数是一个十分重要的参数,无论是版图设计或是工艺设计,直至工艺制作的全过程,都是工程师的主要关注点。本专题研究影响PNP大功率晶体放大倍数的主要因素,并针对性的给出工艺措施来提高PNP晶体放大倍数的一致性。

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  • 简介:1947年12月23日,37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器,即最初的晶体晶体的发明成为人类微电子革命的先声。

  • 标签: 晶体管 发明 世界 贝尔实验室 物理学家 微电子
  • 简介:通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

  • 标签: 功放电路 静态电流 电源电压 基区结深 厄利电压
  • 简介:场效应晶体具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点,在前置电压放大,阻抗变换电路,振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响,手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应的身影。而在实际维修中由于场效应损坏引起的故障并不少见,因此掌握场效应的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

  • 标签: 场效应晶体管 噪声系数 故障 维修