简介：摘要：本文旨在探讨新型存储器件在存储系统设计与优化中的应用。随着科技的进步和数据量的不断增长，传统存储技术面临容量、速度和功耗等方面的挑战。因此，研究人员将目光投向了新型存储器件，如闪存、非易失性内存（NVM）、存储级内存等。本文总结了这些新型存储器件的特点和优势，并探讨了它们在存储系统设计与优化中的应用。重点讨论了关键技术，包括存储器层次结构、缓存管理、数据访问和数据传输等，并分析了它们对存储系统性能和能源效率的影响。同时，讨论了新型存储器件和传统存储技术之间的协同设计和优化策略。通过本文的研究，可以提供指导和启示，帮助研究人员和系统设计者充分利用新型存储器件的优势，优化存储系统的性能和能源效率。

简介：摘要：本文旨在探讨新型存储器件在存储系统设计与优化中的应用。随着科技的进步和数据量的不断增长，传统存储技术面临容量、速度和功耗等方面的挑战。因此，研究人员将目光投向了新型存储器件，如闪存、非易失性内存（NVM）、存储级内存等。本文总结了这些新型存储器件的特点和优势，并探讨了它们在存储系统设计与优化中的应用。重点讨论了关键技术，包括存储器层次结构、缓存管理、数据访问和数据传输等，并分析了它们对存储系统性能和能源效率的影响。同时，讨论了新型存储器件和传统存储技术之间的协同设计和优化策略。通过本文的研究，可以提供指导和启示，帮助研究人员和系统设计者充分利用新型存储器件的优势，优化存储系统的性能和能源效率。

简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：

简介：概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状，将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较，针对铁电薄膜在存储器中的应用，探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题，指出了当前研究的重点。

简介：<正>《国际电子战》2003年10期报道,EADS公司从2001年开始研制第三代DRFM用于机载应用,到目前已基本完成该DRFM的环境测试。EADS公司认为这种新型DRFM将成为"未来任何一种干扰机的核心部件"。同以前的系统相比,新DRFM覆盖的瞬时带宽从350MHz扩展到1.8GHz,频率范围从2.8GHz扩展到4.0GHz,频率精度更是大幅度从1MHz提升到1KHz。新型DRFM其它的优势还包括,减少了指纹特征,同时降低了功耗(从以前的150W

简介：相变存储器作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储器,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储器。本文将对相变存储器的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。

简介：

简介：

简介：

简介：

简介：

简介：深圳易拓科技有限公司近期推出的Gstor安全存储器具备了基于硬件芯片级别的系统还原和数据加密功能。从外观上看，它和普通硬盘并没有太多区别．但它提供了四种安全存储方式．即普通存储方式、保密存储方式，保护存储方式和保护加保密存储方式。用户使用后三种方式，就可以轻松实现对系统内重要数据的备份、加密和还原。

简介：在并行存储中,访问的冲突是存储系统性能提升的瓶颈.对于任意一个整数n,n阶（n×n）的二维数组（矩阵）,能不能用n个存储体实现无冲突存储？本文对二维数组进行了探讨,分析了两种可行性较大的存储方案,并对其中第二种方案进行了程序举例,最后对两种方案进行了进一步分析和比较.

简介：摘要PLC的储存器是用来存放程序和数据的，分为系统程序存储器和用户程序存储器。系统程序存储器用来存放不需要干预的系统程序。用户程序存储器是用来存储用户程序，通常分为程序存储区和数据存储区，程序存储区用来存储用户程序，数据存储区用来存储运算数据、中间运算结果和各种软元件的状态等。本文通过对PLC的存储器的介绍，以西门子7-300/400的具体应用进行了深入分析和研究。

简介：NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性（Non-Volatile）特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。

简介：<正>世纪之交,世界闪速存储器(flashmem-ory)市场发展迅猛,新款产品获得了越来越广泛的应用,除了可以应用于数字摄像机和移动电话之外,还可以应用于录音机和其它音响系统。据著名的美国国际市场调查公司(Dataquest)的预测报告显示,到2005年,世界闪速存储器的市场规模,有望超过目前的主流产品DRAM。

简介：

简介：TP333.42002053608超高密度信息存储/分子存储及其存储机理=Ultrahighdensitydatastorageandmolecularrecording[刊,中]/高鸿钧,时东霞,张昊旭,林晓(中科院物理所凝聚态物理中心.北京(100080))//物理.—2001,30(8).—453-455在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储。实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化。图3参10(李瑞

简介：