简介：如果你还能找到铃铛和安全别针，你就是一个很厉害的大侦探啦!看看你还能在图里发现什么宝贝呢？说给妈妈听吧!

简介：

简介：摘要通过炼钢过程各工序取样做夹杂物电镜和能谱分析跟踪炼钢过程夹杂物变化规律，了解冶炼过程钢水夹杂物组成、形态、数量、尺寸分布等变化情况。

简介：科学家早就发现,将锗提纯可以制成极为优异的晶体管。于是,几乎所有的科学家都致力于去掉锗中的杂质,欲使其纯度达到100%,让理想晶体管横空出世。日本新力公司的江畸博士和助手沿着提纯构想做了无数次试验,但每次都不可避免地带进了杂质。后来,他们想,既然绝对提纯不可能,何不反其道而行之,试着一点点杂质掺进?这一构想遭到很多专家的嘲笑和反对,但他

简介：草蛉是脉翅目的昆虫，它们薄纱一样的翅显得十分轻盈、优雅。然而，你万万想不到，草蛉的宝宝们却是武装到牙齿的凶狠角色，它们的长相实在不敢让人恭维。

简介：摘要本文分析了轴承钢冶炼过程中夹杂物控制存在的问题；轴承钢中最有害的夹杂物是大尺寸的以脱氧产物Ａl２Ｏ３为核心的复合氧化物或氧硫氮复合物。合理控制初炼炉终点碳含量、选择合适的脱氧剂提高脱氧能力或使夹杂物变性、优化精炼渣成分提高其吸收夹杂物的能力、优化熔炼工艺减少大尺寸夹杂物并改善其在钢中的分布是当前降低轴承钢中氧化物夹杂的措施。

简介：摘要钢板桩围堰具有强度高、防水性能好、可多次重复使用的特点，在桩基础、明挖基础的施工中广泛应用，但在复杂生活垃圾、建筑杂物填埋的填海区域使用不够成熟。

简介：通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜，研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻，但是，二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式△ρ/ρ=-B1^2ln（1＋BH））和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B3^2H/（1＋BH）拟合了样品在5T以下的磁电阻的数据，理论和实验符合得很好．结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射．

简介：

简介：以商洛某铅锌尾矿库的铅锌冶金炉窑渣制得的醋酸锌为锌源,尿素为沉淀剂,采用金属离子掺杂的方法制备掺杂金属离子的ZnO粉体.以水体中亚甲基蓝（MB）的光催化脱色降解为模型反应,对各掺杂样品掺杂配比进行优化,考察了光源条件对各掺杂ZnO光催化活性的影响,并对ZnO循环使用的光催化稳定性进行测试.研究表明：掺杂Sn、Ag、Al元素的纳米ZnO,在Sn、Ag、Al与Zn配比分别为1∶9、1∶40、1∶20时,各掺杂样品的催化活性较高.在模拟可见光照射下,各掺杂ZnO样品较纯ZnO对可见光的吸收有一定的增强,在可见光下降解180min后,相应MB溶液的降解率分别达70.8％、64.8％和53.0％.通过循环测试发现,掺Sn氧化锌样品循环使用3次后,其光降解率仍在95％以上,循环5次时,其光解率仍高于90％.

简介：采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法生长了纯ZnO及Co单掺ZnO薄膜.利用金相显微镜观察了Zn1-xCoxO薄膜的表面形貌;同时利用X射线衍射仪（XRD）研究了掺杂浓度对其微结构的影响.结果指出,所制备的纯氧化锌及掺杂氧化锌薄膜样品均具有较好的c轴择优取向生长;实验中,我们在室温条件下进行了光致发光的测量.ZnO薄膜中掺入Co元素会改变薄膜的微结构,导致锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度发生变化,进而影响薄膜的禁带宽度和发光特性.现对最近几年Co掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质进行阐述,并对今后的发展方向进行了展望.

简介：基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53eV。当单独掺杂N型杂质9.5×1019cm-3时,锗的费米能级到达Γ带底。引入适量的张应变和N型掺杂浓度,既有利于锗能带结构的调节,又有利于材料的实际制备。研究结果为锗发光器件的设计和制作提供借鉴。

简介：

简介：采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火（10-2Pa）、低真空退火（1Pa）和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明：四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低.

简介：采用密度泛函理论研究了钴掺杂氨硼烷分子（Co-NH3BH3）在结构和能量方面的变化。首先对氨硼烷分子在不同波函数基组下进行优化。然后,将Co掺杂在优化后的氨硼烷分子中,计算Co掺杂后对氨硼烷分子的影响。结果表明,当钴掺杂之后,氨硼烷分子中氢原子Mulliken电荷变化明显,氢原子稳定性变差,体现了钴作为催化剂对氨硼烷分子的影响。

简介：采用第一性原理的平面波赝势方法,结合广义梯度近似,分别计算了在常压和高压下,C掺杂碱土金属氧化物X_4CO_3（X=Ca,Sr和Ba）的磁矩,体积和总能量随压强的变化情况以及Ca_4CO_3的能带结构和电子态密度.结果表明,随着压强的增大,X_4CO_3的铁磁性减弱最终发生磁相变由铁磁态转变为非铁磁态.特别是Ca_4CO_3在69GPa时,C原子的自旋贡献随着压强的增大显著地下降.

简介：通过溶剂热的方法制备了掺杂量不同的Cu-BiVO4纳米纺锤体,其长径约为1μm,短径长约为500nm,Cu的存在使BiVO4光催化降解亚甲基蓝（MB）的活性明显增强.用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）及瞬态表面光电压技术（TPV）对材料的结构及光生电荷性质进行研究.XRD和SEM结果表明铜的存在对BiVO4的晶型及形貌并没有显著的影响,而TPV的结果表明铜的存在促进了BiVO4纳米材料光生电荷的分离,抑制其光生电荷的复合,从而提高了材料的光催化活性.

简介：用沉淀法制得SiO2-WO3纳米粉体,按不同比例进行掺杂,对其进行了XRD物相分析,以TEM观察其形貌并测得平均粒径,结果表明,沉淀法可获得单斜晶系和三斜晶系共存的WO3纳米粉体,晶粒尺寸随SiO2掺杂量增加而减小,所得粉体粒径范围20-30nm,粒度均匀.

简介：研究在表面活性剂存在下合成不同掺杂量的镧掺杂羟基磷灰石,并对合成样品进行了初步的重金属离子吸附性能测试,了解不同掺杂量对镧掺杂羟基磷灰石形貌及吸附性能的影响。结果表明:La/Ca摩尔比为0.1时,合成了纯相的镧掺杂羟基磷灰石,La掺杂增大了羟基磷灰石的晶胞参数和晶胞体积;La/Ca摩尔比可以调控镧掺杂羟基磷灰石的颗粒尺寸,比值从0.05增加到0.1,颗粒长度由500nm增加到1.5μm、直径从100nm增加到250nm;镧掺杂引起HAP的晶格畸变,可增加HAP的重金属离子吸附性能。

简介：