简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：很多微控制器电路都内嵌有LCD驱动模块，而基于这类微控制器电路的应用也是非常普及的，其中最为大家熟悉的应该算便携式计算器了。基于不同的应用场合和成本考虑，不同微控制器电路的LCD驱动模块实现方式是不同的。文章首先讲述了LCD显示的基本原理，接着通过对3种不同微控制器电路在计算器LCD显示方面的应用，详细讲述了如何把CPU运算结果转化成可驱动LCD的显示数据，以及LCD显示寄存器中的数据如何送到显示驱动单元，最终驱动LCD字段显示的原理和过程。

简介：文章主要阐述了I^2C总线控制音响电路的工作原理，探讨I^2C总线控制音响电路的测试方法，介绍了在A370测试系统上使用高速数字模块（M621）对I^2C总线控制的编码方法以及配合M625和M601模拟模块对输出音频信号进行测试的软件开发。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：为了使我所微电路封装产品能广泛满足航空、航天及其他特殊领域对内部水汽含量的要求(≤5000ppm),提出了降低金属或陶瓷结构封装的微电路封装产品内部水汽含量的控制方法和工艺要求.

简介：在集成电路设计中，可将承担静电放电保护、电平转换、电路驱动等功能的电路组合成接口电路，通过对接口电路的可靠性设计来提高集成电路的可靠性。从电路设计、版图设计、封装设计等设计阶段的特点出发，阐述了各阶段可靠性设计的内容，并总结了一些设计要点和设计准则，提出了可采用接口电路、封装、PCB三者协同设计的方法，以提高接口电路的可靠性。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：

简介：为了满足对直流电流进行检测的同时实现对电流信号缩小的需要,设计了一款电流检测电路,采用CSMC0.5μm120VBCD工艺。不同于传统电流检测电路,该电路直接对电流信号进行处理,输出具有较好的线性度,同时对输入信号基本无影响,并且电路结构较为简单,能够较好地满足IP核应用的需要。通过仿真验证以及流片、测试,证明该电路具有良好的功能性。文中同时给出该电路IP数据提取过程以及后续电路。

简介：SOICMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势。文中叙述采用SIMOX材料和0．8μmSOICMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路，并且给出了SOICMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系，试验电路通过了总剂量500Krad（Si）钴60γ射线辐照实验．

简介：文章提出了一种新的基于CORDIC算法的硬件电路实现方法。首先介绍CORDIC算法及其原理,然后介绍了CORDIC算法的16级流水线结构硬件电路实现,最后介绍了一种新的改进型实现方法,可以有效在兼顾16级流水线结构的高实时性优点的同时,解决CORDIC算法本身对角度范围的限制问题,同时在某种意义上也降低了电路的复杂度。

简介：

简介：为了更好地满足生产质量要求，严格测试电路的全部功能及交直流参数是十分必要的。在多年测试实践基础上，文章提出了数字电路测试程序设计的概要。随着集成电路的集成度越来越高，功能更加强大，测试向量越来越大，测试时间也越来越长。为了降低测试成本，TeradyneJ750测试系统以测试速度快的特点，顺应测试行业的发展，在行业中得到了广泛的应用。文中以74HC123芯片为例，对于一些数字电路关键测试技术在TeradyneJ750测试机上的调试做出了较详细的阐述。

简介：摘要传统Buck-Boost主拓扑电路在电压转换过程中易出现，电压变换稳定系数低输出纹波电流大杂波发生系数大等缺点；针对传统Buck-Boost的相关缺陷，本文提出一种组合式Buck-Boost主拓扑电路，并基于SaberDesigner仿真软件展开性能验证。

简介：

简介：中国国内集成电路产值只能满足市场需求的近20％！目前中国集成电路（IC）产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，出现了长江三角洲、珠江三角洲和环渤海地区三个相对集中的产业区域，建立了多个国家集成电路产业化基地。芯片制造的工艺技术水平已进入国际主流领域，设计和封装技术接近国际水平。但是在全球集成电路产业中，中国仍然处于比较弱小的地位，落后于美国、欧洲。

简介：<正>我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、电、气等所有辅助设施建设,其中两个大型厂房和特种气体厂房于2003年年底封顶。2004年初开始设备安装,2004年6月开始试生产。

简介：中国集成电路产业发展现状2003年中国集成电路产业仍然呈现高速增长的势头,全年国内集成电路总产量达到131.4亿块,首次突破100亿块,同比增幅为39.3%.全行业共实现销售收入351.4亿元(折合为42.34亿美元),同比增幅为30.9%.全行业近三年发展状况见表1.