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  • 简介:创新的科技赋予了新型SIPLACEX系列产品可靠、快速和精准的特性。X系列的主要改进之一是最新开发的20嘴收集贴装头。四个此类贴装头可被安装于四悬臂设备配置中,并能在55μm@4sigma精度下达到80,000cph的贴装性能。此款贴装头配有20个嘴,

  • 标签: EX系列 贴装头 吸嘴 收集 SIPLACE 系列产品
  • 简介:摘要目标特征信号技术被称为隐身技术,此技术能够使武器系统的特征信号得到有效降低,使武器系统在应用过程中难以被识别,而隐身技术即为雷达隐身技术的重点。雷达波材料为现代较为先进的材料,此材料能够将入射雷达波进行充分吸收,而后将所吸收的目标通过回波强度进行衰弱处理。本文针对雷达波材料的现状进行分析,并探究了结构波材料的工作原理,最后阐述了雷达波材料的发展方向。

  • 标签: 雷达吸波材料 研究现状 发展方向
  • 简介:英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍场效晶体(FinFET)制程22FFL,相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位,市场上认为22FFL的推出,显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(10T)应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导,英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术,能打造出高效能及低功耗的晶体

  • 标签: 晶体管 英特尔 纳米 FINFET 移动装置
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  • 简介:文章对清器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

  • 标签: 清管器 清洗技术 除锈 脱蜡 除焦 管道
  • 简介:首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域控面临的严峻挑战;最后,从战场空域控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域控指明了发展方向。

  • 标签: 战场空域管控 智能化 联合作战 无人作战系统
  • 简介:摘要参与侦查是在一些重大的侦查活动中,适当的允许辩护方参与其中,这种程序上的设计,一方面可以在侦查阶段保护犯罪嫌疑人的权利,另一方面方面也能提高程序的公正性和效率。

  • 标签: 参与式侦查 在场权 权利保障
  • 简介:薄膜晶体是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体的发展历史,描述了薄膜晶体的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体、多晶硅薄膜晶体、有机薄膜晶体、ZnO活性层薄膜晶体的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体的应用。

  • 标签: 薄膜晶体管 液晶显示 ZNO薄膜
  • 简介:太赫兹回旋一种具有重要发展前景的高功率太赫兹源。简要介绍了回旋的结构和基本原理,并且评述了国内外太赫兹回旋的发展状况和趋势;同时指出了太赫兹回旋发展中存在的关键问题及一些建议。

  • 标签: 回旋管 太赫兹源 亚毫米波 高功率
  • 简介:发光二极(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

  • 标签: 光子晶体(PC) 发光二极管(LED) 微腔(MC) 光子带隙(PBG)
  • 简介:太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT获取电子学固态太赫兹源的方法。

  • 标签: 固态电子学 IMPATT管 电路模型 稳频振荡 太赫兹源
  • 简介:摘要煤是中国的主要能源。国有煤矿是中国煤炭生产的主体。由于国家宏观政策和煤炭企业的特殊性,煤炭企业的生产成本不断提高。加强成本管理、降低成本是企业提高经济效益、增强市场竞争力的重要手段。目前,煤矿企业主要控制生产成本控制,而忽视了煤矿劳动力成本的控制。通过人力资源管理降低劳动力成本是国有煤矿降低企业成本、提高经济效益的重要途径。

  • 标签: 国有 煤矿企业 人力成本 管控
  • 简介:<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

  • 标签: MDmesh V ST 意法半导体 通态 半导体供应商