简介：等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

简介：文章对等离子清洗技术做了全面介绍，不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置，而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项，指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用。

简介：文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：采用DOE（实验设计）方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。

简介：微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。

简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：四川长虹公告称，该公司旗下的等离子（PDP）显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成，2009年1月进入批量试产，计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响，四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示，四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后，两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司（下“四川虹欧”）增资共4亿元，目前四川虹欧的注册资本约为3．5亿美元、实收资本为2．75亿美元，四川长虹控股50．94％。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束，已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。

简介：提高紧耦合天线的隔离度是雷达、通信和电子对抗等许多领域中提升系统性能的技术之一,目前的方法大多以牺牲天线辐射效率为代价。研究了一种基于反相耦合相消理念的去耦方法,可以在极小间距情况下实现天线单元之间的高隔离度,并且保持较高的天线增益。利用一种微带双天线结构来验证这一方法,这种结构的两个天线都工作于1.8GHz,相互间的间隔为10mm（1/16波长）,仿真和实验结果说明,两个天线间的隔离可以低于-20dB。经仿真结果显示该结构中的天线增益要大于0dB,与不经隔离设计时的同结构同尺寸天线差别约1dB。初步实现了在较小地影响辐射性能的前提下实现紧耦合天线之间的高隔离目标。

简介：<正>美国加州大学柏克莱分校(UCBerkeley)的科学家们表示已经找到一种可推动芯片电感器(on-chipinductor)技术进展的新方法,将有助于催生新一代微型射频(RF)电子与无线通讯系统设计。加州大学的研究人员们深入探索在纳米磁铁(nanomagnet)中纳米材料合成的最新发展。根据加州大学柏克莱分校机械工程系教授LiweiLin表示,研

简介：文章讨论了低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC）埋置电感的几何结构，并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响，并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试，仿真结果与实测结果完全一致，为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。

简介：系统阐述了宽带数字接收机的设计原理及实现方法，并在其基础上重点介绍了数字信道化技术。对多项关键技术进行了论述，并给出了相应的公式推导和原理框图，在电子战（EW）领域的数字接收机工程设计中，具有很高的应用价值。

简介：<正>MimixBroadband公司推出了一种GaAsMMIC分谐波接收机。该接收机有一个三级平衡低噪声放大器(LNA)、一个镜相抑制分谐波逆平衡二极管混频器和集成本振(LO)缓冲放大器。使用这个镜相抑制混频器就无需在低噪声放大器之后再用一个带通滤波器来消除镜相频率下的热噪声。

简介：X系统中自带的邮件程序（Mail）是一个很方便好用的程序，但它只能接收mac和POP邮件，对于我们时常用的hotmail就无能为力了。因为HOTMAIL不是通过POP3和SMTP收发邮件的。而是HTTP的邮件服务。由于Mail原本是不支持HOTMAIL这种HTTP邮件服务的，需要一个HttpmailPlugin来让Mail.app支持。插件是很简单，但安装的过程略显复杂，下面的安装指引就来指导你一步一步来操作。

简介：大功率半导体激光器列阵的光纤耦合模块对光纤焊接的要求很高，在焊接避免使用有机粘接剂和有助焊剂的金属焊膏，因为其在激光器工作时易挥发出有机物质。这些有机物会污染激光器腔面，致使激光器工作时腔面温度过高。附着在腔面的有机物就会被碳化，影响激光器的出光率，甚至还会导致激光器烧毁．文章介绍用电场辅助焊接的方法，使光纤在硅片的V型槽中固定，在焊接中不使用助焊剂和有机粘接剂，取得了良好效果，减少了激光器腔面的污染，从而提高了半导体激光器光纤耦合模块的寿命。测试结果表明，剪切强度最大可达35MPa。

简介：基于普通CMOS工艺,设计了一款ARINC429总线接收器。电路可在3.3V、5V两种电源电压下工作,能够直接接收单路ARINC429总线差分信号输入,转化为数字高低电平输出,同时输出受使能信号控制。采用SMIC0.18μmHVLDMOS工艺流片,电路经测试验证,电参数达到设计要求,性能稳定可靠,实用性强,已应用于某航空通信显控系统中。

简介：<正>日本FDK公司开发出了尺寸为1.6mm×0.8mm、厚度为0.3mm的小型超薄功率电感器"MIPSKZ1608G系列"。该产品适用于可穿戴设备、智能手机、平板电脑、数码相机等移动设备的电源用电路。新产品与FDK以前的产品不同,采用了类似LGA(LandGridArrayPack-age,平面网格阵列封装)的下电极构造。利用这种构造以及该公司自主开发的铁氧材料技术和微细印刷技术,使新产品的厚度比原产品(系

简介：HKC应用MagicGreen技术的两款负离子显示器型号为775CN(17寸纯平)和DF998A(19寸纯平)。率先将“氧吧“功能应用到CRT显示器上，全面倡导绿色环保的健康新概念。MagicGreen集成了负离子、远红外和光触媒三种技术。针对性地解决了长期电脑使用者所面对的健康困扰。

简介：设计出一种新型结构的解耦合微带天线阵,用折叠型微带电路替代集总元件电路,简化了电路结构,便于加工制作;天线采用倒L结构作为辐射单元以减小天线的尺寸;端口的匹配采用阶梯形阻抗匹配器来提高匹配程度。仿真和实测结果显示,该天线阵工作在2.45GHz,天线单元反射系数和天线单元间的隔离度在工作频段（2.4GHz-2.48GHz）内均小于-20dB,天线远场保持了较好的全向性。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。