简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。
简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
高性能808nm激光器外延材料
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
