简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：扼要介绍复合叠层的加工技术、特征、应用及发展前景。

简介：本文主要描述光电复合缆的开发、试点情况。光电复合缆集光纤、输电铜线于一体，同时解决了宽带接入、设备用电、信号传输问题，它适用于用户较为分散的场合，也适用于室内接入。

简介：本文根据大跨越工程档距大．悬点高的特点．对OPGW各种结构性能及其配套金具进行了比较．并且详细讨论从光缆结构．光纤类型和数量．短路电流热容量等三个方面来选择适合江阴大跨越工程用的复合光缆。

简介：摘要水性聚氨酯是以水代替有机溶剂作为分散介质的新型聚氨酯体系，具有无污染、安全可靠、易于改性等优点。本文从wPu分子改性、共混改性以及聚合物改性等方面对水性聚氨酯进行改性，探究其性能以及效益。

简介：她在报告中回顾了功率变换技术的发展历史，对如何获得高效、优波负载适应性和强鲁棒性的综合特征进行了阐述。效率、优波、负载鲁棒性以及对负载尖刺的危害等问题的合理解决，关键是如何得到与输出波形同步、同形、同频、同相的纹波供电电压波形，并始终跟随其幅频变化，保持线性功率管工作在临

简介：

简介：蜕变测试可解决测试Oracle问题，但不是所有的蜕变关系都能有效地发现软件缺陷。提出了一种基于复合函数的蜕变关系构造方法，通过该方法构造的蜕变关系，集合了复合蜕变关系的所有特点，具有较高测试效率。试验验证表明该方法有效。

简介：介绍光电复合缆的设计，着重介绍了光电复合缆根据不同场景，不同距离对低压导线截面积的计算。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求，具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂，碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能．电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。

简介：

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：研究了酸酐复合固化环氧树脂体系,得到一种树脂组合物配方,利用该树脂组合物制成的覆铜板具有优异的耐漏电起痕特性、耐热性及阻燃性能。

简介：摘要：在融媒体时代，信息技术飞速发展，媒体形式不断更新，新闻报道呈现出更加细致、丰富、深入的特征。为了胜任时代赋予的任务，新闻记者需要具备广泛的知识储备和多样化的技能水平。本文旨在分析新闻记者复合能力的定义与特征，并提出相应的有效对策，以期为广大新闻从业者提供更具针对性的实用建议。

简介：概述了化学镀Cu用的前处理工艺-A1katpe工艺,适用于制造高密度PCB.

简介：

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

简介：微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发.本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向.