学科分类
/ 1
8 个结果
  • 简介:本文分三个专题,介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章,供专业人士参考。

  • 标签: 绝缘栅双极晶闸管 半导体功率器件
  • 简介:由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点,IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前,需要精确的器件模型模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例,给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上,文中还提出了模型参数有效性验证的方法,最后给出了有效性验证结果。

  • 标签: IGBT模型 参数辨识 有效性验证
  • 简介:半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

  • 标签: 场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场
  • 简介:单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上,它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声,它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器,也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。

  • 标签: 窄带滤波器 集成电路 逆变 单片 交流 抗扰性
  • 简介:文中针对当前通过在A1GaN层进行F-离子注入这种实现EAlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

  • 标签: F-注入 增强型HEMT 数值模拟
  • 简介:全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心,为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算,并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计:该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

  • 标签: 自动焦度计 16点数学模型 FPGA 面阵CCD