简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:MOTOROLAP2K系列手机出现“无信号”故障,大部分是由于U900(电源IC)无法输出V—BOOST(5.6V)电压造成,只要将U900换新即可解决,但有些机型的U900是封胶的,取下很容易造成主板断线而报废,而且U900往往只是无法输出V—BOOST(5.6V)电压,其它功能均正常,弃之可惜,为此有人就加上一个能产生5V电压的电路(如以前768改768C用的升压电路),确实能很好地解决该问题,可就是该升压电路有些难找。笔者经多次实验,找到了一种更简洁的方法,只要增加一个二极管、一个电容(电容可在原机上拆得)和一根漆包线即可解决问题。
简介:对于极化敏感L型阵列的多参数联合估计问题,采用传统的多重信号分类(MUSIC)算法所需计算量大,采用旋转不变子空间(ESPRIT)算法需要考虑参数配对问题。提出了模值约束下的求根多重信号分类(root-MUSIC)算法,首先利用L型阵列中两个相互垂直的线阵构造两子阵接收数据的自相关函数,采用root—MUSIC算法进行波达方向角(DOA)估计,然后根据模值约束条件构造代价函数,通过闭合式解得到极化参数估计。该算法与传统MUSIC算法相比,大大减少了计算量,同时能够实现参数自动配对,避免了ESPRIT算法的不足。计算机仿真结果表明,该算法的角度估计性能与传统MUSIC算法接近,优于ESPRIT算法,且算法收敛速度快。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:网络型基础设施产业是一种需要固定网络来传输产品和服务的基础设施产业,包括电信、电力、自来水、煤气和铁路等。这些产业的改革和重组是理论界一直关注的热点问题之一。而起源于欧美的网络性公共基础设施产业的改革也成为全球化趋势。改革的路径有多种,但网络型基础设施产业改革的起点基本都是垄断,除了个别情况之外,主要实施的是国家经营体制。与全球网络型公共基础设施产业的改革一样,我国网络型基础设施产业的改革也逐步推进。尤其是作为垄断性产业代表的电信、电力等更是走在改革的前列。而推进供水、供气等城市公用事业的市场化进程更是体制改革的重要组成部分。