简介:Drupa2004的规模与水平远远超出人们的预想。在5月19日展会落下帷幕的那一刻.所有的参观者,参展商、协会及主办方杜塞尔多夫对此均深有体会。正如Drupa主席说:“Drupa2000的空前规模及给印刷业的冲击还未曾逝去.Drupa就迎来2004.为印刷业掀开新的开始,并深深地影响着印刷业未来的发展方向。”据统计,Drupa2004期间,共有来自122个国家的超过394,000名参观者,及来自82个国家的3350名媒体记者和3万多名展会工作人员参加此次盛会。其中共有来自52个国家的1862家参展商,利用16151平方米的面积向业界展示了先进的技术与产品。和预期一样,相对于2000年的47%。Drupa2004期间,来自于省外的参观人数增长7个百分点,达54%。其中,有127,655人来自欧洲,是最大的省外参观团体,其次是来自亚洲的参观人数,为42,552人。“Drupa2004的结束意味着Drupa2008的开始”。日前,Drupa2008日程已敲定,将在杜塞尔多夫于2008年5月29日-6月11日举办第十四届德鲁巴印刷媒体展。
简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。