简介:基于4阶Runge-Kutta法,介绍了“强光一号”加速器长脉冲状态的电路模型。该模型不仅考虑了电爆炸丝导体断路开关(electronexplosiveopeningswitch,EEOS)金属丝的电阻率随比作用量变化的特性,而且考虑了油间隙和真空二极管间隙击穿过程中等效阻抗的变化特性。仿真结果表明,该模型能够更好地反映EEOS的初始参数对放电回路电流和电压的影响规律,能够为加速器的运行和性能提升提供有力的技术参考。通过仿真计算和理论分析,认为“强光一号”加速器的初级储能系统——直线型变压器(lineartransformerdriver,LTD)经过升级改造后,EEOS的工作电压能够提升大约20%,且获得了EEOS最佳工作状态的参数。
简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。