简介：TN312.82002064017隧道结AlGaInP发光二极管=TunneljunctionAl-GaInPlightemittingdiode[刊,英]/王国宏,沈光地,郭霞,高国(北京工业大学信息学院,北京光电子技术研究室.北京(100022),韦欣,张广泽,马晓宇,李玉璋,陈良惠(中科院半导体所.北京(100083))∥半导体学报.—2002,23(6).—628-631报道了通过隧道将衬底的导电类型从n型转变到p

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：O432.196020717同步辐射应用的发展=Developmentofsynchrotronradiationapplications[刊,中]/冼鼎昌(中科院高能物理所)∥物理。—1995,24(11)。—642—650综述了同步辐射的特点,世界上三代同步辐射装

简介：O432.196010009小型激光等离子体软X射线源辐射特性研究=In-vestigationofsoftX—rayradiationftomacompact—laser—producedplasma[刊,中]/郭玉彬,李福田(中科院长春光机所.吉林.长春(130022))∥中国激光.—1995,22(7).—532—536

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：用干涉方法测量原子发光的持续时间.用钠光进行的牛顿环与等厚干涉实验,主要方法是用显微镜观察分辨干涉区域的边界并测出边界的条纹数的坐标值,在多次取值后计算出平均的结果,该结果与用能量和时间的测不准关系计算得到的结果对比,数量级同为10-10s.在普通实验室进行这项实验,扩展普通物理实验教学的内函。

简介：生物超微弱光子辐射现象普遍存在于自然界，本文综述该领域主要实验研究及理论研究成果，主要研究装置及应用前景。

简介：韩国研究人员发现，经过精心设计的白光发光二极管有助于优化个人的生理节律。韩国国民大学JiHyeOh及其同事研究了四组白光LED，其中包括荧光粉转换型红光LED、黄橙光LED、绿光LED和蓝光LED，以及一个长波长粉色镜。他们把这些装置与各种传统形式的照明装置做比较，发现这四组LED设计的照明效率高，

简介：近年来,纳米晶体中稀土离子发光性质的研究越来越受到人们的广泛关注,这是因为纳米稀土发光材料在发光、高清显示、光电子纳米器件、生物荧光标记、激光和闪烁体等众多领域有着重要的应用前景。本项目采用软化学合成方法如水热法、溶胶-凝胶法等,通过合成工艺的调控,设计并合成出一系列不同颗粒尺寸、分散均匀、形貌可控的稀土离子掺杂氧化物（氟化物）微/纳米晶体,利用激发、发射、漫反射以及高分辨激光光谱等光谱分析手段对其发光性质进行研究,弄清影响发光行为的本质原因。同时,结合光谱实验数据,利用密度泛函理论和复杂晶体化学键介电理论方法进行理论计算,成功解释了光谱变化规律和不同稀土离子间能量传递机理,为相关稀土光谱研究奠定了理论和实验基础。

简介：利用迈克尔逊干涉仪测量了Na黄光的波长、相干长度，获得了波长差。与光栅衍射方法获得的Na黄光的波长、波长差的进行比较，结果表明利用迈克尔逊干涉仪测量Na黄光波长、波长差与光栅衍射方法测量结果一致；同时，利用相干长度的结果，估算了Na原子发光的延续时间和Na原子发出的一个波列的长度。

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：以化学发光法为基础，建立了以发光二极管（LED）诱导化学发光体系（LEI〉CL）检测饮料中核黄素含量的分析方法。样品溶液与鲁米诺溶液混合后由蠕动泵带出，经LED灯照射后产生化学发光，产生的化学发光信号由光电检测器检测。核黄素浓度检测线性范围为0．39～79．56μg/L（R≥0．9997），加标[回收率为99．3％～1030o，可用于饮料中核黄素的检测。

简介：推导了光线在光锥中传播的轨迹方程，利用Matlab进行仿真分析，得到了平行光和杂散光入射光锥后的传播情况。结果表明，光锥对大入射角的平行光的聚集能力较好，对杂散光会聚增益较小，在非视线光通信中只适宜作为不同光学元件的结合部。

简介：聚氨酯（PU）是目前合成材料中十分重要的品种，具有可发泡性、高弹性、耐磨性、高黏接性以及极好的绝缘性能，被广泛的应用在航天、电子、生物等领域作为胶黏剂、灌封剂、阻尼减震材料和生物高分子材料等。利用酸酐与聚氨酯预聚体的聚合反应合成了一系列的含有均苯四酸二酰亚胺结构的聚氨酯-酰亚胺（PUI），着重研究了均苯四酸二酰亚胺结构对共聚物的热性能和动态力学性能的影响。

简介：随着表面科学和材料科学与工程的发展，近几十年来表面工程摩擦学获得了迅速发展，表面工程摩擦学领域所获得的大量研究成果不仅促进和丰富了摩擦学的基础研究，而且为开发工业和高新技术发展所必需的具有高强度、高耐磨性和高抗腐蚀性的摩擦学材料提供了重要的指南。研究PBX表面摩擦性能测试方法，可以为新型PBX的研制开发和库存科学技术研究提供技术支撑。PBX表面摩擦性能的测试与研究尚未系统开展，为此，初步研究了PBX动、静摩擦系数的测试方法。

简介：利用发光二极管（LED）光色电综合测试系统测量不同颜色不同功率的LED在多个电流下的光谱，提出并构建了由多个高斯函数组成的LED光谱模型，并根据各颜色LED在额定电流下的光谱计算模型中的系数，最后将该模型与已报道的模型进行了对比。研究表明：对于光谱有n（n≥1）个波峰的LED，可用3n个高斯函数形式的模型来表示，大功率红、黄、蓝、绿、白色LED模型与实测光谱之间平均误差分别为3．45％、1．01％、2．33％、4．65％、2．49％，小功率LED的平均误差分别为2．61％、2．65％、3．77％、2．87％、2．48％。与已报道的模型相比，该模型精度高，普适性好。本研究对LED光度色度测量仪器的研制及智能化LED产品的设计具有重要意义。

简介：TB812.52002010504胶片分析系统形成色偏原因分析及校正方法=Analysisonreasonsofcolorcastforminginafilmanalyzingsystemandcalibrationmethod[刊,中]/王雪晶,郝志航(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光电工程.—2000,27(6).—17-20