简介：本文采用饱和吸收器的快饱和模型,对描述飞秒脉冲固体激光器的Haus主方程进行了数值求解.在假设固体激光器腔中色散与自相位调制相互平衡时,分析了不同小信号增益的情况下,脉冲可达到的稳定程度,以及所产生短脉冲的强度和脉宽.结果表明:小信号增益越大,更易得到稳定的脉冲,此脉冲脉宽越窄,能量越大.

简介：近几年来光纤激光器发展十分迅速.本文简要介绍了光纤激光器的基本原理和特点,并对其作了较为详细的分类.最后指出了光纤激光器在光通信、工业加工、医疗等领域的应用和其未来的发展方向.

简介：概述了Si激光器的研究现状.介绍了Si激光器可能的激射机构,它们是多孔硅发光、Si中杂质发光、Si-Ge量子阱发光等.介绍了Si激光器近期的研究情况以及实用化所面临的技术问题.

简介：光子晶体（PC）具有周期性折射率变化，并具有实现新型光器件的极大潜力，正受到广泛关注。本文介绍了PC基本原理与特性，并介绍了表面发射（SE）光子晶体分布反馈（DFB）半导体激光器的结构、最佳化设计、制作工艺和输出特性。

简介：从高重复率、超短脉冲光源--主动锁模光纤激光器的进展历程出发,重点综述其各种稳定方法,并在此基础上讨论颇受关注的多波长产生技术.随着技术的进一步完善,主动锁模光纤激光器将在未来高速光通信系统中发挥举足轻重的作用.

简介：

简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

简介：垂直腔面发射激光器作为近凰年来光电子学领域研究的热点课题之一，要想很好的研究其应用价值，就必须了解它的各种特性。本文分析总结了垂直腔面发射激光器的阈值特性、光输出特性、模式特性、调制特性、偏振特性、远场特性以及热阻效应。

简介：分析了通信用光电子器件的分类，介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工诈原理，同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。

简介：

简介：为适应于光通信网络发展的需要，业界已开发出可调谐半导体激光器。光功能的高效率集成封装可提高耦合效率，还可减少成本。文章介绍了几种集成式可调谐半导体激光器及其封装技术。指出可调谐激光器的发展趋势是集成化和模块化。

简介：垂直腔面发射激光器（VCSEL）的偏振光随着电流的不同，出光的方向会发生变化。VCSEL注入电流在大于阈值时由于在谐振腔中存在微小的各向异性，使得光谱的单色性大大降低，这可能会导致VCSEL通信网络质量的下降，这就要求我们在设计和生长VCSEL时尽量减小腔内的各向异性。我们利用一套实验装置，在不同的注入电流下测量了VCSEL偏振光的光谱，从中得出VCSEL的一些光谱特性。

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：介绍了一种基于VisualC++的量子阱激光器计算机辅助分析工具,采用分层迭代逼近法,提供了单量子阱激光器的计算模型.可以对突变折射率波导进行模式分析,也可以对任意折射率分布的渐变折射率波导进行精确分析.

简介：在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中，焊料的选择是极其关键的，因为焊料直接参与对激光器的导电、导热。激光器所需的电流全部从焊料通过，而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的，可达50A～100A，同时半导体激光器工作时产生的热量非常大，如焊料的导热性不好，由于电流的热效应，就会在焊料上产生巨大的热量，使焊料熔化，文中研制了一种新型的焊料，这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金，焊料由钨／镍／金／铟／铜等多层金属构成，利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。

简介：随着激光二极管在干涉测量、固体激光、光存储等领域应用的愈加广泛,其LD输出波与温度之间的准确控制难度逐渐突显,人们尝试通过半导体激光器温度控制系统对此问题进行改善,在此背景下,本文针对半导体激光器温度智能控制系统设计问题展开研究。

简介：在当前的高速光通信系统中,光源的选择至关重要.本文在考虑耦合损耗的条件下,分析了光纤环镜(NALM)的非线性传输特性,论述了利用光纤环激光器锁模产生超短脉冲的原理.

简介：介绍基于半导体光放大器的多波长激光器的基本构形,同时介绍了实现宽平坦带宽和均衡功率输出的多波长激光源的方法

简介：美国加州大学伯克利分校和北京大学的研究人员联合研制出世界最小的半导体激光器。研究人员研制了一款高增益硫化镉纳米线,然后将纳米线与银金属相隔5nm,激光由此间隔出射。由于激光被大量储存在这个非金属的狭小

简介：据《激光与光电子学进展》2009年第11期报道,夏普开发出了脉冲振荡时的光输出功率高达500mW的蓝紫色半导体激光器。面向记录型蓝光光盘装置,振荡波长为405nm。对于3层或4层光盘能以8倍速写入。该公司于2009年6