简介：美国康奈尔大学物理学院原子与固体物理实验室Soltani等研究人员正在尝试构建一个基于纳米光子驻波阵列的全新技术平台，使其能够通过芯片实现高通量的光学捕获。在芯片的流体俘获区域，裸露的波导可以在驻波渐逝场的波腹区域形成一个稳定的光学陷阱。该装置使激光束得以回收利用，从而在不增加激光功率的情况下，形成一系列光学陷阱，

简介：在中国科学院B类战略性先导科技专项“大规模光子集成芯片”支持下，中科院西安光学精密机械研究所与国外多家科研机构合作，利用西光研制的光子芯片，基于微谐振腔中多个高纯度频率模式相干叠加的独特方案，解决了片上高维纠缠双光子态制备与控制的国际难题，证实了利用10级纠缠双光子态实现超100维的片上量子系统，并通过频率操控实现了对量子态的灵活控制。相关成果于2017年6月发表在《自然》上。

简介：本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品.利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射相应地加强.

简介：上海交通大学朱卡的教授和李金金博士以量子光学和纳米材料为研究基础，在国际上首次提出了纳米光学质谱仪，也就是业内俗称的“光秤”，通过对生物DNA分子的质量、染色体的质量等高精度光学测量，来检测人体内的癌细胞的方案。这一方案的提出，有望为量子测量技术、纳米技术、生物医学技术的发展提供崭新的平台和新颖的思维方式。

简介：通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

简介：据媒体报道，日本宇宙航空研究开发机构最近首次在国际空间站制成了光学晶体。光学晶体在通信领域应用广泛。使用光学晶体制造的光纤传输特性优于传统光纤。若在地面上制造光学晶体，由于受重力的影响，二氧化硅粒子的间隔会不均匀，晶体长度最长也不会超过几十微米，而在太空则能生成构造均匀的较大尺寸晶体。

简介：近日，位于张家港保税区的康得新光电材料有限公司2亿平方米光学膜产业集群项目正式投产，这将打破国外垄断、实现进口替代，全面提升我国显示行业的国际竞争力。仪式上，张家港保税区与康得新签订了《世界级光学膜产业基地项目战略合作框架协议》。市委副书记、市长周乃翔出席活动。

简介：基于全内反射椭偏光学成像系统，提出了一种实时光学蛋白质芯片生物传感器，用于同时检测多种蛋白质分子的动态相互作用过程。叙述了该传感器的有关原理、技术及其应用实例。

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：据报道，中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室孙方稳研究组利用光学超分辨成像技术，突破光学衍射极限，实现对单个自旋态的纳米量级空间分辨率测量和操控，成像精度达4．1nm，为光学衍射极限的1／86，超越2014年诺贝尔化学奖获得者斯特凡·W·赫尔教授等人实现的光学衍射极限1／67的精度。

简介：采用微流道反应器系统，优化甲胎蛋白单克隆抗体浓度，并装配在醛基改性后的硅片表面上，经牛血清白蛋白封闭后形成检测AFP芯片阵列。通过制作AFP浓度梯度标准曲线标定光学蛋白质芯片，实现肿瘤标志物AFP的检测，结果表明，该方法的最低测定浓度可以达到1．Ong／mL，变异系数为3．1％，回收率在94．4～105．O％之间，与人纤维蛋白原的交叉反应率≤O．25％、与1％葡萄糖≤0．08％、与人源1gG≤0．16％和与人血清白蛋白≤0．20％，说明光学蛋白质芯片技术检测AFP，灵敏度高、重复性好、操作简便，有望应用于临床检测。

简介：采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）薄膜。研究了膜厚对SnO2：Sb薄膜红外光学性能的影响，利用X射线衍射仪、分光光度计、霍尔效应测试系统对薄膜样品进行表征和测试。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方金红石型结构；当膜厚为1220nm时，薄层电阻最小，为157Ω／□；在红外波段，透射率随膜厚的增加显著下降，当膜厚为890nm时，在波长2000nm处，透射率接近于0，膜厚为1220nm时，在波长1750nm处，透射率为0。

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：日本庆应大学工学院教授小池康博和日本科学技术振兴机构（JST）ERATO／SORST光子聚合物项目光功能发现小组（小组负责人是多加谷明广）开发出一项新技术：先在树脂中混入通常难以进行混炼的纳米粒子、制成小球，再采用普通的薄膜制造技术，将其连续加工成基本上没有双折射的高性能光学薄膜。过去只能制作数厘米见方的薄膜，而此次则成功地制出了宽40cm、长约100m的薄膜卷，一举突破了实用化障碍。这种光学材料将长约200nm、宽50～80nm的针状SrCO3纳米粒子分散到了聚碳酸酯中。

简介：在业界享有盛名、年发行量达600万份以上的光电杂志PhotonicsSpectra和美国光学协会（SPIE）的新闻部日前以专文专栏的方式对中国复旦大学表面物理实验室和美国杜克大学光学研究中心联合进行的一项重点研究成果进行了详细报道。这项受中国国家自然科学基金和美国国家科学基金资助的项目历时三年．是国际上首次在理论模拟的基础上研究出的一种新型可行的光驱动纳米器械和光力纳米操作平台。它在系统的稳定性和可控性方面有着其他系统无可替代的优势。

简介：在液相环境中，利用纳秒（ns）脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe（Cr^2＋：ZnSe）微米颗粒，制备出Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，扫描电镜以及X射线衍射检测，结果显示，制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，观察到中心波长为2180nm、阈值为0．4mJ／pulse的随机激光效应。相比于Cr^2＋：ZnSe晶体激光器，纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移，Cr^2＋：ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2＋：ZnSe晶体要短。

简介：国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。

简介：在乙二胺四乙酸二钠（EDTA）存在的条件下，用微波加热法快速合成了大量纺锤形氢氧化钇。考察了微波加热时间对合成的影响。结果表明，微波加热15min可制备形状貌均一且结晶良好的纺锤形氢氧化钇，其颗粒长度为2．5～4．0μm，宽度为400-900nm。将纺锤形氢氧化钇在500℃煅烧4h后可得纺锤形氧化钇，同时用相似方法还成功制备出纺锤形Y2O3：Eu3＋，对其光学性能进行了研究，发现当激发波长为465nm时，最强发射峰在613nm。用XRD、SEM对合成的产物进行了表征，并对纺锤形氢氧化钇形成的机理进行了简单探讨。