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  • 简介:摘要:随着我国社会经济的持续发展,各种电器已进入人们的日常生活,因此电源插座用量随之增长,但目前市场上的插座产品质量不一、功能不全,无法满足人们节能控制的需求,比如,电动车电池在充电过程中,为了保护电池避免过充,可以根据需要设计充电时间,待电池充满后自动断电;家中WiFi可以在晚间人们休息时自动断电,早晨自动开启等。根据以上要求,本文设计了一种基于STM32的智能插座,该插座既可根据用户的用电习惯设定断电时间和开启时间,也可以根据充电需要设定充电时长,同时还可以对用电量进行检测,或根据外界条件实现对插座通断电的控制等。

  • 标签: 二极插座保护门 锁死 防触电保护
  • 简介:摘要随着我国的经济在快速的发展,社会在不断的进步,本文主要分析了插座常见保护结构设计中容易出现的各种问题,例如保护打不开、不能防单销、强度不够、寿命短、手感差等不良现象。保护只要结构设计合理,就可以完全避免这些常见的问题。以墙壁插座设计为例,在设计过程中,关键点及结构设计的优化,通过维、三维软件模拟分析,最终确定保护的设计方案。

  • 标签: 墙壁插座 结构设计 插拔手感 国标要求
  • 简介:摘要: 随着我国的经济在快速的发展,社会在不断的进步, 本文主要分析了插座常见保护结构设计中容易出现的各种问题,例如:保护打不开、不能防单销、强度不够、寿命短、手感差等不良现象。保护只要结构设计合理,就可以完全避免这些常见的问题。以墙壁插座设计为例,在设计过程中,关键点及结构设计的优化,通过维、三维软件模拟分析,最终确定保护的设计方案。

  • 标签: 墙壁插座 结构设计 插拔手感 国标要求
  • 简介:0概述随着发光管(LED)照明光源技术日新月异的快速发展,将高效率、大功率的LED作为路灯光源,性能和质量正在不断改善,因而已在一些道路上作试验性的推广应用。

  • 标签: 发光二极管 路灯 保护 光源技术 LED 大功率
  • 简介:Vishay推出新的4路ESD保护阵列——VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺寸的芯片级CLP1007-5L封装,可用于便携式电子产品。在不牺牲性能的前提下,VishaySemiconductorsVBUS54FD-SDI的尺寸远小于前一代元器件,具有低电容和低漏电流的特点,可保护高速数据线路免收瞬变电压信号的影响。

  • 标签: ESD 保护 尺寸 二极管 电子产品 元器件
  • 简介:发光管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

  • 标签: 光子晶体(PC) 发光二极管(LED) 微腔(MC) 光子带隙(PBG)
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  • 简介:改革开放之初,两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后,他们先后给留守国内的笔者来信,言及回国后想大干一场的志向。其中,他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中,又不约而同地列有“快导通管”一项,问我什么是“快导通管”?请我向他们解释一下。

  • 标签: “快导通二极管” 封装结构 “平板压接式”结构 逆变器
  • 简介:美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金,以推进有机发光管(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源,因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比,OLED伴生的热量较少,而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明,如果到2025年美国能全部采用固态光源照明,每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED,采用新技术来进一步降低光源的工作电压,其商品名为Pholed。

  • 标签: 有机发光二极管 节能光源 Universal OLED 美国能源部 2025年
  • 简介:今发光管使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光管配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光管作次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光管应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

  • 标签: LED 发光二极管 性能 伏安特性曲线 光谱曲线 配光曲线
  • 简介:从静电放电(ESD)导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明:功率肖特基管由于需要生长SiO2作P^+扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因(例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等)残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体(MOS)电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

  • 标签: 肖特基整流管 失效分析 静电放电