简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：本文分别采用酒精灯火焰和CO_2激光器发射的波长为10.6μm的红外线对铜、铝、铁正入射加热,用DIS信息化系统测量各种情况下的温升情况。通过实验发现采用CO_2激光器发射的波长为10.6μm的红外线正入射加热时铝、铁出现反常温升现象,从理论上进行分析得到了正确的解释。

简介：以流量积算仪替代原转子流量计来控制氨气流量和胺化时间，实验表明可以更有效地控制粗颗粒TATB(DTATB)的颗粒度分布及产品均匀性。初步研究DTATB的造粒技术发现，由于DTATB较细颗粒TATB(PTATB)流散性大，颗粒之间不易粘结，同样按JB9014工艺对DTATB造粒，结果是DTATB难于成粒，机理分析认为是DTATB和PTATB具有不同的表面能所致，改变搅拌速度、温度等造粒参数可以实现DTATB的良好成型。

简介：Katrin舍费尔和恽瑛也许永远不会相迂。但如果这位在奥地利维也纳大学的48岁的生物人类学家，和在中国、南京、东南大学的82岁的物理教育家，偶然一次全球本科教育的STEM（科学；技术，工程和数学）会议上相遇，他们会认识彼此且志同道合。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：论文在分析推荐输入瓶颈问题的基础上，借助社区思想实现了显式评分输入的用户聚类，解决了评分矩阵稀疏的问题；借助用户兴趣度的定义，实现了隐式浏览输入的用户聚类，解决了用户兴趣度不易获取的问题．论文的研究立足于推荐系统的输入，通过聚类分析，为推荐算法的研究奠定了理论基础．

简介：

简介：回顾了运动量概念的发展过程，阐述了动量在物理学中的不同形式和内容，讨论了对物理教学的启示。

简介：选取JOB-9003炸药及及其主成分奥克托金炸药作为研究对象，模拟其在加工、贮存等过程中的湿度条件，进行不同时间的贮存试验，并相应监测各炸药的水分变化情况(水分的测定采用库仑滴定法，通过Stromboli卡氏炉样品转换器，将装有已知重量试样的密封样品瓶自动推人加热炉中恒温加热，样品中逸出的水分由干燥的惰性气体载入电解池中，自动进行电解反应，由电解电量计算出被测物质中的水分含量)，以获得有关炸药吸水量的变化规律，为进一步研究有关炸药在贮存过程中可能释放的水分量提供试验数据。

简介：不同目标的连续型下料问题的关系赵东方（华中师范大学）一般的一维下料问题是一个整数线性规划，其表述如下［‘］，［２］：某类钢材其长度为ｌ，要为。种零件的毛坯下料，共有。种下料方式，第ｊ种下料方式可得第ｆ种零件出ｊ个，第Ｉ种零件的长度为Ａ，共需要么设。；...

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：利用MCNP程序，模拟计算Fe/W/Fe、Fe/Pb/Fe和Fe/Pb-B-(CH2))/Fe3种层合板屏蔽材料在相同强度7源或中子源辐照后透过的粒子注量，从而比较层合板的屏蔽性能；同时，改变层合板Fe/Pb-B-(CH2)/Fe的芯板厚度，计算其对透过的粒子注量的影响。结果发现，在3种层合板各层厚度对应相同时，3种层合板屏蔽材料对中子的屏蔽性能为Fe/W/Fe>Fe/Pb/Fe>Fe/Pb-B-(CH2))/Fe，对7射线的屏蔽性能为Fe/W/Fe>Fe/Pb-B-(CH2)/Fe>Fe/Pb/Fe;Fe/Pb-B-(CH2)/Fe芯板材料厚度的变化对整体屏蔽性能的影响并不明显。

简介：在“神光”Ⅱ辐射输运实验中，测得中心频率为211eV和840eV两群辐射传出输运管右端的时刻。为了更好地理解实验结果所反映的物理现象，利用二维多群辐射输运程序(LARED-R-1)对实验模型进行了数值模拟，细致分析了不同群辐射在CH泡沫中的传输特征。输运管半径为300μm、长300μm，管内填充密度为0．05g/cm^3CH泡沫。在管左端加随时间变化的辐射流，辐射流的峰值为0．42×10^14MW／cm^2，峰值时刻1．36ns，脉宽1．11ns。辐射在CH泡沫中的传输特征与光学厚度密切相关。

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.

简介：激光全息照相实验对实验环境和实验条件要求很高。本文针对自制简易全息照相实验平台，利用光传感器来进行光学采样分析不同的振动情况下对平台抗振性能的影响，测量方法巧妙，数据精确可靠。

简介：光敏电阻存在延时特性,光敏电阻的响应时间随着光强的增大而减小,而且与光源有关。通过Origin软件比较几种光源的Δt-E图,得出手机光源曲线平滑,精确度较高,可以作为研究光敏电阻延时特性的一种有效光源。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：对一款CCD进行了3MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。