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22 个结果
  • 简介:问题1:最近我们公司在生产组装FPC贴片出现大量的锡珠,我们的回温炉的峰值温度设定为260,真的是很头疼啊,每次都要去挑锡珠,请问是什么原因造成此类问题。,能否提供一些改善的建议?答:一般来说,产生此类现象的原因主要有以下几个方面:

  • 标签: 生产技术 温度设定 FPC 锡珠 原因 贴片
  • 简介:简述了航天领域的宽带光纤总线系统的特征和优势,提出了系统集成芯片(SoC)光纤总线协议IP验证方法,实现了从标准的MILS-TD-1553B电平台到高速光平台的验证,描述了验证平台的组成,并给出两种验证平台的物理层模块设计。

  • 标签: 光纤总线协议 航天宽带光纤总线 验证平台
  • 简介:为了解决用户节点无法安装多个天线的问题,提出了多节点协作通信技术来形成虚拟的多天线阵列。多节点协作是一种新的空间分集方法,不同节点彼此共享天线并相互转发信息来得到分集增益。通过研究多节点协作通信的关键技术,分析多节点协作的性能增益,指明了多节点协作的发展与应用方向。

  • 标签: 多节点协作 空间分集 协作方法 应用前景
  • 简介:针对红蓝双方攻防对抗仿真建模的复杂性,提出了采用原型迭代建模方法,通过化繁为简,逐步推进原型迭代逼近真实模型,达到预期目标。结合应用示例,介绍了原型迭代建模过程的问题及处理方法。

  • 标签: 攻防对抗 仿真建模 原型迭代
  • 简介:研究了通过相似扩展方式实现长基线相差定位的方法。根据相差定位原理,采用两套多基线多通道相位干涉仪,构造一个长基线测量阵列。每套相位干涉仪一方面提供目标方位,另一方面解算出被测目标在短基线上的路程差。在按几何相似递推得到对应于长基线阵列的程差值之后,由相差定位方程即可解得目标的径向距离。初步的精度分析表明,在扩展基线长度为1公里时,即可实现小于5%R的相对测距误差。

  • 标签: 相差定位 基线扩展 短基线 多站定位 无源定位
  • 简介:文章对高速载波调制解调技术原理及其实现技术进行了研究,并根据MIL-STD-1553A/B实际传输的硬件系统,建立信道模型及噪声模型。该系统由基带信号处理和线缆驱动两部分组成,通过对传输系统中各处理模块的分析,并利用MatlabSimulink仿真平台进行系统级仿真,仿真结果表明OFDM调制解调技术获得10-5较低的误码率,可应用于已有的1553总线这样的高速有线传输系统。

  • 标签: 正交频分复用 信噪比 高速总线
  • 简介:作为一种传统焊接技术,目前波峰焊依然在电子制造领域发挥着积极作用。本文介绍了波峰焊接技术的原理,以及一种新型波峰焊接技术的特点,与传统波峰焊情况不同,它可以保护表面贴装元件来实现对通孔元件焊接。最后本文分别从焊接前的质量控制、生产工艺材料及工艺参数这三个方面探讨了提高波峰焊质量的有效方法。

  • 标签: 波峰焊 印制线路板 助焊剂 焊料 工艺参数
  • 简介:致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司近日发布以硅锗(SiGe)技术为基础的4GRF前端模块(FEM)突破性技术平台。该公司已采用此创新平台开发下一代IEEE802.11ac无线网络(WLAN)前端模块。IEEE802.11ac被业界视为第五代WiFi或5GWiFi。

  • 标签: 技术平台 前端模块 突破性 RF WIFI 功率管理
  • 简介:LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是,在某些半导体材料的PN结中,载流子在电势差作用下循环往复地移动,当空穴和电子相遇而产生复合,电子会跌落到较低的能阶,同时以光子的方式释放出能量,从而把电能转换为光能。LED用于节能照明,它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源,相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光,这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。

  • 标签: 发光二极体(LED) 半导体照明(Solid-State Lighting) 金属基板(Metal CIRCUIT board)
  • 简介:弹载干扰机的转发式干扰进入雷达主瓣,使得雷达失去对目标的测距能力,其对抗非常困难。提出了采用干扰机性能排查的雷达抗干扰技术,雷达通过发射干扰机参数性能侦察信号,经过专门的侦察分析设备,侦察、分析干扰机的工作参数,从而使得雷达的工作与干扰机达到"匹配",使得雷达的抗干扰效果达到最佳。设计了雷达对抗弹载干扰机的抗干扰工作模式和新增系统构成。

  • 标签: 转发式干扰 反干扰 弹载干扰机
  • 简介:为满足下一代移动通信系统高速率传输的要求,LTE-A系统引入了无线中继技术,用户终端可通过中继节点接入网络以获得高质量的服务。但是随着中继节点及用户的增加会导致系统的同道干扰更加突出,成为限制LTE-A网络容量的主要因素。因此,需要研究有效的干扰抑制技术以增强网络性能。近年提出的干扰对齐技术能够获得干扰网络的最大自由度并可达其最优容量。研究了基于低秩干扰空间的多小区干扰对齐技术,然后将该算法推广到LTE-A中继网络,提出了基于协作中继的LTE-A干扰对齐方案。仿真结果表明,提出的干扰对齐技术能够有效提高LTE-A中继网络容量。

  • 标签: LTE-A网络 中继节点 干扰对齐 自由度
  • 简介:随着信息产业的大数据业务发展,传统的网络资源已经不能满足人们的要求,新一代网络体系必将发生变革并产生新一代网络(NGN),动态多太比特核心光网络(CORONET)计划是由美国提出来的新的一代网络计划,主要是寻求高度动态、多太比特核心光网络体系结构、协议、控制和管理的方案。利用波分复用(WDM)带宽资源和强大的波长路由能力,构造一个全球范围的核心光网络,即连接全球范围内主要站点的大容量、长距离基础设施。将IPoverWDM的全光交换技术应用到CORONET网络系统中,采用的三次握手分布信号协议方法(3WHS)通过动态链接可以达到百毫秒级的快速建立时间并极大提高网络安全。最后,借鉴该网络计划的发展情况阐述对我们国家光网络发展所带来的启示。

  • 标签: 下一代网络 动态多太比特核心光网络 波分复用 三次握手分布式信号协议 光网络
  • 简介:阐述了网络中心作战和先进信息技术条件下的新型战场态势图应用的任务需求,论述了先进的战场态势感知服务体系结构组成和能力,描述了态势图应用基本概念和数据模型,针对实际应用提出了基于门户服务的态势图协同标绘实现方法,为网络中心的联合作战态势感知提供了一种新的应用模式,并且能指导军事指挥组织更快和更好地同步规划和决策。

  • 标签: 态势感知 共用态势图 数据模型 军队标号 地理信息系统 面向服务的体系结构
  • 简介:射频MEMS技术为实现微型化、集成化及智能化,以及探索具有新原理和新功能的器件与系统提供了重要途径。概述了射频MEMS的主要优势和在雷达领域的主要应用方向,在此基础上重点介绍了国外基于射频MEMS技术的T/R组件设计、X波段相控阵天线演示验证系统及针对Ka波段低成本无源相控阵的探索情况,并给出了新一代MEMS高集成度电子扫描阵列研究项目的最新进展。

  • 标签: 射频微机电系统(RF MEMS) 电子扫描阵列(ESA)雷达 基于MEMS的射频前端 MEMS实时延迟线
  • 简介:在网络中心战的大背景下,对舰艇内部信息融合的需求显著提高。通过对舰艇内部通信网络技术现状的分析和商用主流综合传送网技术的比较,深入探讨了PTN分组传送网技术在舰艇内部综合通信平台中的应用。

  • 标签: PTN分组传送网 舰艇 综合通信平台
  • 简介:在通信栅格网的基础上将探测单元、信息处理系统和信息服务系统有机地组织起来,形成一体化防空探测系统,从体系和系统层面实现抗干扰。介绍了一体化防空探测系统的组成和特点,阐述了该系统的电磁环境、面临的干扰及其分类。最后,从探测单元、信息共享、探测单元合理配置与灵活重组3方面提出了该系统可以采用的抗干扰技术和措施。

  • 标签: 一体化防空探测系统 抗干扰 信息共享
  • 简介:<正>由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战—即连接半导体和基板的微型接触过孔—这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22nm的实作电路,声称可朝14nm转移,而且还能直接朝10nm以下节点发展。

  • 标签: 自组装技术 NM 半导体工艺 半导体研究 过孔 斯坦福
  • 简介:基于冗余技术,通过现有车载网络系统的架构,从节点、链路和组件3个层次提出了车载网络系统的可靠性设计方法。在综合成本、质量和体积等约束条件下,分析了车载网络系统的冗余规划,设计了基于冗余技术的车载网络系统架构,使网络系统具有高可靠性。

  • 标签: 冗余技术 车载网络系统 可靠性设计
  • 简介:由于普遍采用频率复用因子为1的方式组网,多小区干扰已成为限制无线通信系统容量的主要因素。为了有效抑制小区间干扰提高小区边缘吞吐量,近年提出了干扰对齐技术,其优势在于可以获得干扰信道的最高自由度。一般的干扰对齐研究仅限于理想信道,研究通过非理想信道环境下的多小区干扰对齐技术,分析了时延信道信息对干扰系统容量的影响。结果表明,信道状态信息的时延大大降低了系统容量,特别是在高信噪比条件下对系统性能的影响更大。

  • 标签: 时延干扰信道 多小区干扰 时延信道状态信息 干扰对齐
  • 简介:<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

  • 标签: NM 加值 技术进步 埋层 传统工艺技术 生产步骤