简介:本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延层的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。
简介:今年4月,受总公司委派,笔者随国家技术监督局计量、质量管理学习考察团赴美进行了为期3周的学习考察,在美期间,听取了一系列专家讲座:ISO9000系列国际标准在美国的贯彻与实施、美国的计量质量保证方案(MAP)、美国的实验室队可计划(LAP)、美国的计量管理体系介绍、美国的市场技术监督机制等;实地考察了美国的一些机构,其中包括有政府计量管理部门、权威计量技术机构、具有第三方公正地位的认证公司、大型私营企业、从事计量器具生产的公司及几家独立测试实验室等。此次考察,较为全面地了解了美国计量领域的法律、法规体系、行政管理模式、市场监督机制、企业经营管理中的计量、质量管理方法等,同时也了解到国际上一些较为先进的计量管理思想及模式(如ISOl0012、MAP、RoundRobin及实验室认可等)在美国实施、