简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

简介：主要研究导弹高超声速飞行时弹头流场对自身红外导引头的辐射照度影响问题．建立导弹弹头及气动流场模型，划分计算流场网格、红外导引头镜面网格和辐射场计算网格.从辐射照度和亮度的理论公式开始，推导出适用于辐射网格的气体辐射积分式，并将流场网格数值插值到辐射场网格，求出各节点辐射值得到由导弹飞行状态确定的导弹头部流场气体辐射，积分到红外导引头的光学系统镜面处，求出对其红外导引头的光学系统镜面处的辐射照度．得出流场气体对导引头主镜面的辐射照度值的分布规律：主镜面中心最大，围绕主镜面中心成环形分布，沿着半径方向逐渐减小，随着Math数增大影响增加．

简介：“第三届全国辐射物理学术交流会CRPS’2018”于2018年7月25日至28日在新疆伊宁召开。本次学术交流会由中国核学会辐射物理分会联合强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室以及国防科技工业抗辐照应用技术创新中心共同主办，中国科学院新疆理化技术研究所、中科院特殊环境功能材料与器件重点实验室以及新疆维吾尔自治区核学会联合承办，主题是推动辐射物理产、学、研、用融合发展。

简介：介绍了全面禁止核试验条约（CTBT）中涉及的放射性氙同位素及其来源、核爆炸产生放射性氙同位素特征和CTBT大气放射性氙监测技术，重点总结了CTBT中大气放射性氙的取样、测量、事件性质识别和源项解析等技术的最新进展。在氙监测设备方面，已有3套商业化的氙监测系统可供采购，且氙同位素取样效率和探测灵敏度已远超临时技术秘书处设定的技术指标要求；在放射性氙同位素活度测量与能谱分析方面，Si-PIN新型探测器研究取得较大进展，建立了放射性氙数据分析软件；在氙监测事件性质识别方面，建立了Kalinowski判据模型；在大气输运模拟研究与应用方面，基于FLEXPART模型开发了Web-Grape和Web-GrapeIBS软件。但从实际监测效果看，有效获取敏感核素对及核素比，并依此提供确凿核爆炸证据的能力尚显不足。下一步工作应聚焦在氙同位素探测灵敏度提升、氙监测事件识别及溯源等研究上。