简介：给出了一些新的紧图，并对不是超紧的紧图作了一些讨论．

简介：给出了一些新的紧图，并对不是超紧的紧图作了一些讨论

简介：设Gl和岛是两个连通图，则G1和G2的Kronecker积GIXG2定义如下：V（G1×G2）=V（G1）×V（G2），E（G1×G2）=（（ul,vl）（u2,u2）：ulu2∈E（G1），ulu2∈．E（G2））．我们证明了G×Kn（n〉4）超连通图当且仅当k（G）n〉6（G）（n-1），其中G是任意的连通图，Kn是n阶完全图．进一步我们证明了对任意阶至少为3的连通图G，如果圪（G）=δ（G），则G×Kn（n〉3）超连通图．这个结果加强了郭利涛等人的结果．

简介：设计了金属线电谐振器和镜像对称缺口环磁谐振器,并组合成1.0THz左手超材料.传播参数模拟表明:电谐振器和磁谐振器都有阻带特性;复合结构具有左手超材料特性频带;基板厚度变化影响左手超材料特性频带位置.后向波法证明复合结构具有左手超材料后向波特性.研究了单元缺失对电磁波在左手超材料中传播稳定性的影响.证实了太赫兹波段电谐振和磁谐振复合左手超材料方法可行.

简介：

简介：物质的颗粒度大小及分布，直接联系着物质的性能和应用。过去，对常规10-20gm的炸药颗粒度研究较多，而对超细炸药颗粒度研究较少。与常规炸药相比，超细炸药存在许多特殊性，如颗粒间更易团聚不易分散、在溶剂里表现出不同于大颗粒的溶解性等，使测试变得更复杂。以超细TATB、超细BTF、超细HNS、超细RDX和超细HMX为对象，使用LS-230型激光粒度仪，对颗粒度测试过程中涉及的各种测试条件(如分散介质的选择、分散剂选择、超声时间的确定、光学模型设置、运行时间等)进行研究，获得各种超细炸药的最佳测试条件，形成基本完善的测试方法，并将测试结果与扫描电子显微镜及英国马尔文公司的Matersizer2000型激光粒度仪的测试结果进行比较。

简介：文章慨述了超微步进电机的原理设计、结构设计、加工方法以及该电机的扫描电镀照片等。该电机的转于和定于由LIGA技术制造完成．线圈由手工在显微镑下绕制完成，转子直径2mm．整个电机直径5mm。

简介：

简介：摘要随着科学技术的发展，我国的频谱仪检测技术有了很大进展，本文设计了一种基于软件无线电的频谱检测平台，生成的数据格式完全自主可控，并且可以进一步地分析处理数据，为我国精细化、实时化、动态化的监测和频谱管控提供了平台和数据支撑，最后提出了该平台未来的研究方向。

简介：爆电外源及铁电陶瓷爆电起爆装置虚拟仿真技术，主要是开展爆电电源、铁电陶瓷爆电起爆装置在地震、冲击等环境的仿真模型建立方法研究、数值模拟方法研究，完成爆电外源及铁电陶瓷爆电起爆装置的静、动力学行为的工程仿真分析，并对铁电陶瓷爆电起爆装置设计的力学安全和环境适应性进行全面的分析、评估。

简介：关于一般的图的完美匹配计数的问题已证实是NP—hard问题。但Pfaffian图的完美匹配计数问题（以及其它相关问题）却能够在多项式时间内解决。由此可见图的Pfaffian性的重要性。在这篇文章中，我们研究了若干种影响图的Pfaffian性的运算．

简介：论珠脑速算（中）刘善堂二、珠脑速算的训练方法珠脑速算是新的算理算法，其特点适合少年儿童学习。因此它的教练方法必须适合于儿童的学习特点。吉林省珠算协会从１９８３年开始至今，历时近１５年的时间，通过多年教学实践，依据珠脑速算运算的规律，结合心理学、生理学...

简介：设图G是一个简单图，图G的补图记为^-G，如果G的谱都是整数，就称G是整谱图．鸡尾酒会图CP（n）=K2n-nK2（K2n是2n阶完全图）和完全图Kα都是整谱图．本文确定了图类^-αKα∪βCP（b）中的所有整谱图．

简介：

简介：摘要在实际的排涝工作中，想要确保电器设备能够正常的运行，维护泵站安全的工作，就要确保所选择的泵站机电设备，可以及时的检测出有故障的电流，与此同时，还要准确的把电源切断。因此在机器正常工作运行的情况下，所选择的设备可以在正常的工作电流下进行。与此同时，相关技术人员对其也要足够的了解，以便对故障进行处理。

简介：同学们刚刚接触电学时往往对根据并联实物图画电路图以及根据并联电路图画对应的实物图感到困难．究其原因，还是没有掌握解题方法．下面本文将结合实例对这两类问题的解题方法作浅显的介绍．

简介：设G是一个图.设g和f是两个定义在V(G)上的整值函数使得对V(G)所有的顶点x有g(x)f(x).图G被称为(g,f,n)-临界图,如果删去G的任意n个顶点后的子图都含有G的(g,f)-因子.本文给出了图是(a,b,n)-临界图几个充分条件.进一步指出这些条件是最佳的.例如,如果对V(G)所有的顶点x和y都有g(x)＜f(x),n+g(x)dG(x)和g(x)/(dG(x)-n)f(y)/dG(y),则G是(g,f,n)-临界图.

简介：TN30597010636大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测-等离子发射光谱法=Insitumonitoringetchprocessandend-pointforLSIbytheplasmaemis-

简介：TN30595021329相移掩模的计算机模拟方法研究[学,中]/沈锋;中科院光电技术研究所.—62页.—1994.6研究了亚微米微细光刻技术的一个热门领域—相移掩模提高分辨率.从Hopkins理论出发,导出了一般情况下的二维物体的部分相干成像的简化强度

简介：本文引入了超中心扩张的概念，得到了类似于中心扩张的几个漂亮结果。