简介：研究了一种Gnedenko系统,即由3个串联部件,一个温储备部件及一个修理工组成的系统,其中修理工可以单重休假.运用C0半群的理论,证明了系统算子是稠定的预解正算子,得出了系统算子的共轭算子及其定义域,并证明了系统算子的增长界为0.最后运用了预解正算子中共尾的概念及相关理论,证明了系统算子的谱上界也是0.

简介：利用拟生灭过程和矩阵几何解的方法研究了只允许部分服务台异步单重休假的M/M/c排队系统,给出了系统的稳态指标的计算方法和条件随机分解结果,最后指出一些较简单的排队模型是本文的特例.

简介：研究了同时考虑单重休假和N-策略两种休假策略的排队系统，其休假准则为任一个条件满足．我们给出了此排队系统的稳态队长，忙期分布等基本指标，并得到稳态等待时间的LST（Laplace—StieltjesTrans—form）。

简介：本文研究批量到达带启动时间的单重休假的M/G/1排队系统,给出稳态队长的母函数和等待时间分布的LST及其它们的随机分解结果,推导出忙期、闲期和线期母函数和均值.

简介：证明对一切θ∈(0,1),所有θ(2√λη-λ-η)都是单重休假的M/M/1排队模型的主算子的几何重数为1的特征值.

简介：本文分析了一个泊松到达、一般服务的单服务台休假排队，休假策略是工作休假和休假中止．通过嵌入马氏链的方法给出了系统稳态条件，并通过补充变量的方法给出了系统稳态队长的概率母函数。关键词：M／G／1排队系统；工作休假和休假中止；嵌入马氏链；补充变量法

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：考虑策略工作休假M／M／1排队，简记为M／M／1（N-WV）。在休假期间，服务员并未完全停止工作而是以较低的速率为顾客服务。用拟生灭过程和矩阵几何解方法，我们给出了有直观概率意义的稳态队长和稳态条件等待时间的分布。此外，我们也得到了队长和等待时间的条件随机分解结构及附加队长和附加延迟的分布。

简介：本文中研究了一个带有启动时间的Geom／Geom／1多重工作休假排队模型。服务台在休假期间，不停止服务，而是以较低的服务率为顾客提供服务。运用拟生灭过程和矩阵几何解的方法，给出了该模型的稳态队长分布，并求出了平均队长以及顾客的平均逗留时间。

简介：本文采用补充变量法,讨论了修理工带有有限次休假的n部件串联可修系统的可靠性。得到了系统的可用度、失效频度、等待修理的概率和平均更新时间等主要可靠性指标,并给出了模型的特例及系统的效益分析。

简介：本文研究一个带有止步和M策略的M／H2／1多重休假排队系统。利用拟生灭过程与矩阵几何解的方法求出了系统的稳态平衡条件和稳态概率分布。此外,本文还求出了系统的一些性能指标。

简介：采用Skyrme能量密度泛函研究重离子极端垒下熔合反应。基于Skyrme能量密度泛函以及扩展的Thomas-Fermi近似得到的入射道熔合势垒,结合我们提出来的经验的势垒分布函数,计算了一系列熔合体系的近垒熔合截面,与实验数据能很好地符合。进一步考虑熔合势垒曲率的能量依赖,研究了一些体系的极端垒下熔合,发现极端垒下熔合截面深度压低现象能被满意地再现。

简介：继[1～3]分别给出σ-根及其半单类的两个特征性质，研究了对于已知环类M，含于M的最大σ-根及σ-半单类和包含M的最小σ-半单类的构造，同时得到σ-半单闭包σ-遗传的一个充分条件。

简介：本文分析比较了单缝夫琅禾费衍射的两种讲授方法，提出了用波带法分析明条纹所遇到的问题，并提出了一种新的讲授方法。

简介：本文用则模的术语给出了半单Artin环的刻划。得到如下三个条件的等价性:(1)R是一个半单Artin环;(2)每一个R-模都是正则模;(3)每一个单纯R-模都是正则模。

简介：对于单位圆盘内的解析函数f(z)=z+^∞∑(k=2)akz^k，本文根据D^nf(z)/z给出了判别函数f(z)为单叶函数的几条判别法则，其中D^0f(z)=f(z)，D^1f(z)=Df(z)=zf′(z)，D^nf(z)=D(D^(n-1)f(z))，n∈N.

简介：设Sλ*（α,β）表示函数类在单位圆u{z;|z|<1}内解析映象,且对0<λ≤1;0≤α≤（1+λ）/2;0<β≤1;满足设Cλ*（α,β）表示函数类在U内解析,且zf′（z）属于Sλ*（α,β）。当λ=1时,为函数类S1*（α,β）和C1*（α,β）.文中给出了这两类函数的一些结果,本文就

简介：设D为有限线性空间，且TGAut（T），其中T是非交换单群，并且同构于^2B2（g），Cn（g）（n≥3），^3D4（g），E7（q），E8（q），F4（q），^2F4（q），G2（q），^2G2（q）。假设D不是射影平面，G线传递作用在D上，则T点传递。

简介：令u（n）表示具有n个顶点的单圈图.在一个圈C3的一个顶点上悬挂n-3个悬挂边的n个顶点的单圈图记为U~＊（n-3,0,0）.本文证明了在u（n）中具有最小hyper-Wiener指数的单圈图是U~＊（n-3,0,0）.

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。