简介：在激光耦合强度、辐照面积和辐照时间对应相同的条件下,对单结GaAs太阳电池分别开展了波段内808nm、波段外1070nm连续激光单独辐照以及两者联合辐照实验,发现三种辐照方式对应的样品损伤程度十分接近。结合等效电路输出的I-V曲线随太阳电池参数的变化、电致发光图像及小光斑激光响应扫描测试结果对损伤机理进行了分析。结果表明：激光辐照导致太阳电池损伤的实质是PN结内缺陷增多。

简介：通过对三结太阳电池进行激光辐照实验,研究了激光辐照引起三结砷化镓（GaAs）太阳电池量子效率谱的变化情况。在功率密度为11.1W·cm~（-2）,波长为808nm的激光辐照后,发现顶电池量子效率在吸收波段内降为0,而在吸收波段外出现了量子效率约为10%的异常响应。测量辐照后样品AM0光辐照下的I-V曲线发现,短路电流出现了较为明显的增加。根据量子效率测量原理分析认为,激光诱导的顶电池（限流层）限流失效是导致其吸收波段外量子效率异常增加的主要原因。

简介：建立了低地球轨道（lowearthorbit,LEO）等离子体环境下,高压太阳电池阵收集电流的计算方法,计算获得了不同等离子体环境和卫星工作状况下,高压太阳电池的收集电流。分析表明,等离子体密度越高,温度越小,高压太阳电池收集电流非线性增加;同时,太阳电池收集电流随卫星功率和工作电压的增加而迅速增加。

简介：对单晶硅太阳电池进行150℃、200℃的热处理,发现其输出特性有所提高。将单晶硅太阳电池在灯光下辐照12小时,在灯光辐照过程中,样品的转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变,对辐照过的样品分别进行150℃、200℃的热处理,热处理后的电池样品的转换效率得到了回复。

简介：随着太阳能电池使用日益广泛，对太阳能电池特性的研究也越来越引起人们的重视。

简介：

简介：本文通过对黄铁矿紫外、可见、近红外光谱的分析，获得黄铁矿对太阳光全光谱的吸收率数据。重点对染料敏化太阳能电池的光阴极进行了实验探究。本人制备了黄铁矿薄膜太阳能电池和以石墨为光阴极的太阳能电池，对各个薄膜形貌进行表征。最后，对各个电池的性能进行了测量比较。并预期在制备太阳电池时，它可能代替硅，而成为今后主要的光伏半导体材料。

简介：Weinvestigatethenonlinearresponseofterahertz(THz)metamaterialperfectabsorbersconsistingofelectricsplitringresonatorsonGaAsintegratedwithapolyimidespacerandgoldgroundplane.Theseperfectabsorbersonbulksemi-insulatingGaAsarecharacterizedusinghigh-fieldTHztime-domainspectroscopy.Theresonancefrequencyredshifts20GHzandtheabsorbanceisreducedby30%astheincidentpeakfieldisincreasedfrom30to300kV/cm.ThenonlinearresponsearisesfromTHzfielddriveninterbandtransitionsandintervalleyscatteringintheGaAs.ToeliminatetheFresnellossesfromtheGaAssubstrate,wedesignandfabricateaflexiblemetamaterialsaturableperfectabsorber.Theabilitytocreatenonlinearabsorbersenablesappealingapplicationssuchasopticallimitingandself-focusing.

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命，细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减，当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律，且随着光注入强度增大，少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发，对导致该现象的物理机制进行深入解释。

简介：TheeffectsofgrowthtimeonthestructureandmorphologyofcubicGaNnucleationlayersonGaAs(001)substratesbymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)havebeeninvestigatedusingasynchrotronX-raydiffraction(XRD).TheXRDresultsshowthattheGaN111reflectionsat54.75°inχareameasurablecomponent,howeverthe002reflectionsparalleltoGaAs(001)surfacearenotdetected.TheXRDΦscansandpolefiguresgiveaconvincingproofthattheGaNnucleationlatyersshowexactlythecubicsymmetricalstructure.Thecoherencelengthsalongtheclose-packed<111>directionestuimatedfromthe111peakarenanometerorderofmagnitude,Theoptimalphotoluminescence(PL)spectrumwasobtainedfromthecubicGaNepilayerdepositedonthenucleationlayerfor60sec.

简介：AseriesofGaAs/AlAsmultiple-quantumwellsdopedwithBeisgrownbymolecularbeamepitaxy.Thephotoluminescencespectraaremeasuredat4,20,40,80,120,and200K,respectively.Therecombinationtransitionemissionofheavy-holeandlight-holefreeexcitonsisclearlyobservedandthetransitionenergiesaremeasuredwithdifferentquantumwellwidths.Inaddition,atheoreticalmodelofexcitonicstatesinthequantumwellsisused,inwhichthesymmetryofthecomponentoftheexcitonwavefunctionrepresentingtherelativemotionisallowedtovarybetweenthetwo-andthreedimensionallimits.Then,withintheeffectivemassandenvelopefunctionapproximation,therecombinationtransitionenergiesoftheheavy-andlight-holeexcitonsinGaAs/AlAsmultiple-quantumwellsarecalculatedeachasafunctionofquantumwellwidthbytheshootingmethodandvariationalprinciplewithtwovariationalparameters.Theresultsshowthattheexcitonsareneither2Dnor3Dlike,butareinbetweenincharacterandthatthetheoreticalcalculationisingoodagreementwiththeexperimentalresults.

简介：

简介：利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156＋156＊0．18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验，得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系，从而找出了Q开关的最佳频率范围值，并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

简介：Thispaperpresentsafiniteelementcalculationfortheelectronicstructureandstraindistributionofself-organizedInAs/GaAsquantumrings.Thestraindistributioncalculationsarebasedonthecontinuumelastictheory.Anidealthree-dimensionalcircularquantumringmodelisadoptedinthiswork.Theelectronandheavy-holeenergylevelsoftheInAs/GaAsquantumringsarecalculatedbysolvingthethree-dimensionaleffectivemassSchro¨dingerequationincludingthedeformationpotentialandpiezoelectricpotentialuptothesecondorderinducedbythestrain.Thecalculatedresultsshowtheimportanceofstrainandpiezoelectriceffects,andtheseeffectsshouldbetakenintoconsiderationinanalysisoftheoptoelectroniccharacteristicsofstrainquantumrings.

简介：为做调整的GaAs/Al0.3量井用解决时间的magneto-Kerr旋转大小被学习的Ga0.7。电子旋转松驰时间和它的在里面飞机anisotropy作为光学地注射的电子密度的功能被学习。而且，Rashba的相对力量和联合的Dresselhausspinorbit回答，并且这样观察旋转松驰时间anisotropy，被532nm的另外的刺激进一步调节连续波浪激光，经由一个光gating方法表明有效旋转松驰操作。

简介：

简介：研究了钙钛矿太阳能电池材料CH3NH3PbI3（CH3NH3=MA,MAPbI3）的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现：MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。

简介：Weproposedynamicterahertz(THz)emissionmicroscopy(DTEM)tovisualizetemporal–spatialdynamicsofphotoexcitedcarriersinelectronicmaterials.DTEMutilizesTHzpulsesemittedfromasamplebyprobepulsesirradiatedafterpumppulseirradiationtoperformtime-resolvedtwo-dimensionalmappingoftheTHzpulseemission,reflectingvariouscarrierdynamics.Usingthismicroscopy,weinvestigatedcarrierdynamicsinthegapregionoflow-temperature-grownGaAsandsemi-insulatingGaAsphotoconductiveswitchesoftheidentical-dipoletype.TheobservedDTEMimagesarewellexplainedbythechangeintheelectricpotentialdistributionbetweentheelectrodescausedbythescreeningeffectofthephotoexcitedelectron-holepairs.