简介：精细图形制作的前处理工艺对印制电路板的铜表面粗糙度影响很大。对一款新开发的PTFE覆铜板表面采取机械磨刷、喷砂研磨、化学微蚀3种前处理工艺,通过SEM及粗糙度结果分析了处理后铜面的粗化效果。结果表明,化学微蚀前处理方式有利于获得较好的铜面外观,采用相应的图形制作工艺参数可达到较好的线宽精度要求。
简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。
简介：美国国家仪器（NI）与江苏卓胜微电子有限公司（卓胜微电子）宣布达成战略合作，旨在借力NI的高性能射频仪表以及产品的开放性和灵活性进一步提高射频开关（RFSwitches）的量产效率，提升产品质量。
一种新型PTFE覆铜板的精细图形制作前处理工艺优化
Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
NI与江苏卓胜微电子宣布战略合作助推本土射频IC量产测试
