简介：NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性（Non-Volatile）特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。

简介：<正>世纪之交,世界闪速存储器(flashmem-ory)市场发展迅猛,新款产品获得了越来越广泛的应用,除了可以应用于数字摄像机和移动电话之外,还可以应用于录音机和其它音响系统。据著名的美国国际市场调查公司(Dataquest)的预测报告显示,到2005年,世界闪速存储器的市场规模,有望超过目前的主流产品DRAM。

简介：

简介：4月1日，由意法半导体、英特尔和FranciscoPartners合作成立的恒忆^TM（NumonyxB．V）公司作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM的存储器，并利用新型相变移位存储器（PCM）技术，为存储器市场开发、提供创新的存储器解决方案。新公司凭借其雄厚实力和技术专长，在成立之初就成为存储器市场的领先厂商，专注于存储器开发制造业务，为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子产品制造商提供全方位的服务。

简介：以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。

简介：1引言随着通讯整机技术的发展,推动着元器件技术快速发展.当今第三代移动通讯整机设计者已可从许多DRAM和Flash存储器中进行任意选择来满足他们对存储器的需求,他们需要存储器满足低价格、低功耗、高速度、高密度及小尺寸封装等要求.

简介：半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读／写放大器和控制电路组成，是一种能存储大量信息的器件，它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试，而功能测试和交流参数测试对存储器来说是至关重要的。SRAM（静态随机存储器）的功能测试是通过算法图形发生器产生不同的测试图形，对被测器件各个不同存储单位进行读写操作，以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术，介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量，给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。

简介：集成电路工艺的改进使存储器的测试面临着更大的挑战。文中从存储器的故障模型入手。着重描述了存储器常见的诊断算法。诊断算法和诊断策略要在诊断时间、故障覆盖率、面积开支之间进行权衡。因此要根据存储器的故障类型和测试需求来选择合适的诊断算法，才能达到比较满意的效果。

简介：<正>《国际电子战》2003年10期报道,EADS公司从2001年开始研制第三代DRFM用于机载应用,到目前已基本完成该DRFM的环境测试。EADS公司认为这种新型DRFM将成为"未来任何一种干扰机的核心部件"。同以前的系统相比,新DRFM覆盖的瞬时带宽从350MHz扩展到1.8GHz,频率范围从2.8GHz扩展到4.0GHz,频率精度更是大幅度从1MHz提升到1KHz。新型DRFM其它的优势还包括,减少了指纹特征,同时降低了功耗(从以前的150W

简介：针对视频压缩系统中要求存储器容量大、可靠性高、使用环境苛刻等特点,给出了基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器的应用设计方法。该方法可以很好地满足工业控制或军事领域等恶劣环境下的使用要求。

简介：　　存储器综述　　在过去数年里,电子市场,确切地说是存储器市场,经历了巨大的变化.在2000年电子工业低迷时期之前,电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本,而更关注它们能够达到的最高性能.……

简介：日前，德国英飞凌科技公司宣布，首批存储器产品将于2004年底从其苏州封装厂下线，批量生产计划将于2005年初开始。英飞凌的苏州封装工厂也被正式命名为英飞凌科技(苏州)有限公司。同时，英飞凌还在苏州成立了一个专门致力于生产工艺的IT开发中心。

简介：

简介：介绍TMS320VC5402DSP的直接存储器存取(DMA)的特点，给出一种适用的DMA结合多通道缓冲串行口McBSP组成的数据采集系统的设计方案，该设计具有设计灵活、硬件简单、CPU执行效率高的特点。

简介：在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上，提出采用MarchSOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将MarchSOF算法扩展为32位字定向算法，同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试，可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路，对该方法进行实现和验证，验证结果表明了方法的可行性和有效性。

简介：介绍兼备RAM和ROM特性的铁电存储器FM24C64，该器件具有极长的擦写寿命、快捷的写入速度和超低功耗等特点，是高可靠数据存储系统的理想器件。详细描述这种新型存储器的性能特点、工作原理、读写时序及操作特点，并给出在单片机数据存储系统中的应用方法。

简介：新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWareAEON多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。

简介：介绍了在NiosII的SOPC中将两种存储器型外设接入Avalon总线的实现方案，同时给出了构建基于NiosII嵌入式处理器SOPC系统实现方案，最后将SRAM、FIFO和紧耦合存储器中的数据通过Avalon总线在Altera公司CycloneEP1C12型FPGA器件上，对该实现方案进行了仿真验证。

简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：夏普GX20手机中采用了它本公司生产的一款LRS1824存储器，该存储器集字库和暂存为一体，它装载了整个手机的运行程序和各种功能程序，并且存贮常用的数据和中间处理结果。其内部结构如图1所示，芯片脚位分布如图2所示。