学科分类
/ 1
11 个结果
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面,考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明,催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在,其化学组成主要为FeOOH,且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

  • 标签: 表征 硫化铁 原位担载 催化剂 前驱体 煤液化
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:通过原位浸渍法把FeSO4和其它助剂共同浸渍在种烟煤上,考察了以FeSO4为主要前驱体的催化剂对这种煤直接液化的活性与选择性,以及其对液化产物-甲苯可溶物分子量的影响作用,并通过EXAFS和SAXS表征揭示了催化剂在煤上的化学态和粒径分布,结果表明:在一定的反应条件下,FeSO4和种助剂分别共浸渍在种煤上时,煤的总转化率及沥青烯和轻质产物的产率均比不添加催化剂时的结果提高1倍左右,与铁的硫化物相比,以FeSO4为主要前驱体的催化剂沥青烯和轻质产物具有较高的选择性,生成的重质甲苯可溶物具有较大的分子量;EXAFS和SAXS表明,原位浸渍在煤上的FeSO4表现为纳米相,助剂Na2S和尿素的添加主要改变了Fe原子周围的配位原子种类以及它们的成键方式,而对其颗粒分布影响较小,催化剂在汾西煤上的分布较其在兖州煤上的差一些。

  • 标签: 硫酸亚铁基催化剂 烟煤液化 实验
  • 简介:油砂是储层中显示油气的主要矿物之一。本文描述了柴达木盆地油砂中油气层组N12/N^21单个流体包裹体特征.给出了它们的SRXCRF微束无损分析的结果。对同一层位的共同性及不同层位间的变化特点作出了讨论.

  • 标签: 柴达木盆地 油砂层 流体包裹体 SRXCRF 微束无损分析
  • 简介:分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射,基于GBC理论假设,采用相关函数法计算了原位担载于种烟煤上FeSO4的粒径分布,考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响,计算结果与XRD表征结果相似,FeSO4在种煤样上的最可几粒径为4nm左右,分布范围为0.5-8nm,助剂对FeSO4粒径分布的影响较小,它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

  • 标签: 煤液化 催化剂 粒径分布 相关函数算法
  • 简介:本文测定了在高压条件下种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位x-光衍射光说。结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响。随着压力的增加,8-羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降,到7GPa左右时几乎为零。而8-羟基喹啉锌的发光随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时常压的10%。高压下的原位x-光衍射结果表明8-羟基喹啉钙的晶体在3-4GPa开始发生非晶化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x-光衍射完全消失。而8-羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。

  • 标签: 高压条件 金属8-羟喹啉络合物 发光行为 晶体结构
  • 简介:用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物 La0.9Sn0.1MnO3 庞磁阻薄膜 电子结构 XPS 同步辐射
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅