简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

简介：为期三天的第六届中国国际纳米科学技术会议9月5日在京闭幕,大会主席、中国科学院院长白春礼在开幕式上致辞时表示,中国应该加强纳米技术创新链之间的互动关系.

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：来自德国尤里希研究所和瑞士保罗谢勒研究所的科学家们与全球合作伙伴共同研发出了硅芯片用锗-锡（GeSn）半导体激光器。该半导体完全由主族IV元素组成，因此GeSn激光器可以直接用于硅芯片。这一半导体可以让电脑芯片通过光进行数据传输。与使用铜线进行数据传输的方法相比，这种新方法传输速度更快，能量消耗更低。

简介：日本东北大学原子分子材料科学高等研究机构山中幸仁副教授领导的研究小组和该大学金属材料研究所及东北学院大学合作，共同开发了利用气体喷雾法的软磁性非晶合金纳米线（直径100nm-3μm）的低成本批量生产技术。并用这种纳米线试制了磁传感元件。测试结果显示，该元件具有电阻值随外加磁场变化而变化的磁阻效应。