简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：用氯化镉处理碲化镉（CdTe）太阳能电池材料能提高它的效率，但研究人员直到现在才完全理解为什么会这样。一支来自田纳西州橡树岭国家实验室、俄亥俄州托莱多大学和科罗拉多州高登市国家可再生能源实验室的研究队伍，用电子显微镜和计算机模拟研究了未能解释的处理过程的物理机理。

简介：VO2是一种新型功能材料，在68℃附近可以发生低温半导体相与高温金属相之间的可逆相变。在光、热的激励下，金属-半导体相变致使光学透过率、电阻率以及磁学等特性发生突变，基于此特性，VO2有着广泛的用途。因此，具有良好性能的VO2薄膜的制备工艺、光电特性成为研究热点。综述了VO2薄膜的基本相变性能，介绍了国内外二氧化钒热致变色薄膜制备的研究进展。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：建立了复合铁电薄膜的理论模型，具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合，引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质，采用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLDI）唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量（2种和3种），主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质，并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰，而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.