简介：

简介：伴随全球物理学与技术的迅猛发展，香港的教育环境在过去的20年中也发生了显著的变化。香港的大学入学率从3％增长到18％，这使得许多有着不断增长的知识和信息的年青人有机会进入大学，为大约一半将要进入大学接触各门学科的学生传授必备的物理知识，已

简介：采用最近导出的普适分析型嵌入原子模型[generalembeddedatommethod(GEAM)],对BCC结构的Fe元素进行了描述。计算了元素Fe的单空位形成能,双空位结合能,弹性常数,结构稳定性,在(100)、(110)、(111)面上的表面能,以及元素的声子谱。计算结果和实验结果相符合

简介：在香港，不少二手服饰店都有着出奇的人气，除了货品价格合理之外，最重要的是它们沾着明星的光，圣诞将至，会休憩生意的香港人对待内地的观光客总有些出奇的优待。

简介：介绍了高重频微秒脉冲钠信标激光器实验样机的技术路线和实验研究结果,在重复频率500Hz、脉冲宽度100μs时,获得了钠信标激光平均输出功率为33W,光束质量M^2=1.5,线宽为0.4GHz。以云南丽江1.8m口径望远镜为发射系统,研究了应用该激光器获得高亮度钠导引星的最佳激光参数,获得了钠导引星光子回波达1.66×10^7m^-2·s^-1。利用自适应光学技术在J波段实现了1.7倍衍射极限的图像分辨率。

简介：利用温度场计算结果,计算了激光辐照下金属铁氧化膜厚度的增长及氧化放热;利用多层膜反射理论,结合氧化膜厚度,分析了氧化膜导致的激光吸收增强效应.结果表明,波长为1.035μm激光在功率密度为2kW·cm-2辐照期间,氧化放热对温度场的贡献很小,对工程应用来说可以忽略,而氧化膜带来的吸收增强效应影响较大,不能忽略.

简介：设计了一种在给定传输距离内相位可调的矩形波导TE10模高功率微波移相器。通过增大矩形波导窄边长度，提高了移相器的功率容量；利用矩形波导宽边长度变化，改变波导相移常数，实现了输出端口180°相移。实验结果表明：该移相器在工作频率9～10GHz范围内，插入损耗约为0．1dB，输入端口驻波比小于1．2，实现了脉冲宽度16ns、峰值功率1GW的HPM移相传输。

简介：介绍了当前高功率微波（highpowermicrowave,HPM）能量合成和功率合成的研究进展,并思考了下一步可能的发展方向。能量合成的关键在于HPM合成器,基于过模圆波导TM01模式滤波器的HPM合成器,能实现两路微波信号的同极化通道合路,并有效提高合成器的功率容量;在此基础上形成的滤波器及合成器网络,能够实现HPM多波段、多频率工作,或产生拍波。功率合成的关键在于对单个HPM微波源的频率和相位的控制。基于小信号相位牵引的新方法,实现了GW量级的HPM相位控制,注入功率比接近-43dB;同时,结合强流电子束加速器的同步控制、大功率固态注入源及相控阵天线等关键技术的发展,这些研究可为HPM源空间功率合成技术奠定基础。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：根据圆波导模式耦合理论,设计了一种结构紧凑型高功率容量弯曲圆波导,计算得到了TE_（11）模式和TM_（01）模式高传输效率时圆波导半径与波导弯曲半径、传输效率与弯曲角度之间的关系。软件仿真结果表明：中心频率为9.7GHz时,弯曲圆波导对水平极化的TE_（11）模式、垂直极化的TE_（11）模式和TM_（01）模式可实现大于99.9%的传输效率。按照击穿阈值为1Mv·cm~（-1）计算,弯曲圆波导功率容量可达4GW。低功率测试表明：9.7GHz时,水平极化的TE_（11）模式、垂直极化的TE_（11）模式和TM_（01）模式的传输效率为99%,与理论模拟结果一致。

简介：利用日本原子力研究机构串列加速器提供的能量为85和95MeV的28Si束流,通过重离子熔合蒸发反应76Ge(28Si,3n),布居了101Pd的高自旋激发态。根据标准在束核谱学实验测量结果,拓展了基于d5/2和1/2-[550]组态的能级纲图,新发现了1/2-[550]组态的非优惠旋称分支,完整观测到了101Pd原子核中正负宇称带的带交叉现象。根据系统性分析,将101Pd中观测到的带交叉现象归咎于g9/2质子顺排。

简介：实验研究了大气环境下纯铁薄片样品在1070nm连续激光辐照下的耦合特性变化规律,并通过控制激光辐照时间获得了不同反射率和氧化状态的纯铁氧化层样品。利用椭偏光谱法研究了不同氧化状态纯铁氧化层在1070nm处的折射率和消光系数,基于椭偏反演结果和氧化层的微观形貌,提出了激光辐照下初期生成的α-Fe2O3氧化层等效折射率随膜厚变化的分段表征,并进一步修正了计算金属氧化层激光反射率的多光束干涉模型。利用修正后的模型计算了纯铁在激光辐照过程中的反射率变化规律,与实验结果吻合较好。

简介：利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯（内径为Ф31mm，弧长为1430mm，壁厚为3．5mm，管材为掺铈石英玻璃）进行高负载（爆炸系数fx=0.6）实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现，氙灯运行不到10发时，氙灯灯管内壁出现白色花纹，而且白色花纹的出现是随机的，并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加，氙灯内壁出现乳状积淀物，发白区域从两端向氙灯中间延伸，但并不是均匀分布，而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时，在灯管内壁会出现短的亮线（即极限负载条纹），随着运行发次的增加，亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形，亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加，呈一系列的圆环分布，但圆环的间距并不相同，而且当氙灯冷却到室温时，可以观察到灯管内壁和氙灯下端（竖直）附有白色颗粒物。

简介：高功率超宽谱（uwB）源是高功率微波源的一种，其辐射的超宽谱电磁脉冲体现出宽频带特性，在军事和民用领域具有广泛应用前景，美国和俄罗斯等都高度重视高功率超宽谱脉冲技术的研究和开发。

简介：高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源，应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点，可浇铸成型，方便加工，还可做成薄膜，而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和砷化镓光导半导体开关（GaAs-PCSS），开展了带状Blumlein线的设计和实验研究。

简介：利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴，发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高，可以得到晶体表面的定量信息等，得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片，并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：采用双磁环结构,利用加载介质集中微波能量,提升移相器功率容量的方案,进行了移相器结构尺寸、铁氧体材料参数等的综合优化设计,并对研制加工的高功率移相器开展了实验测试。结果表明：X波段移相器峰值功率容量可达60kW,插入损耗约0.5dB,最大移相量可达320°。理论分析了高功率移相器的实验现象,认为：铁氧体在高功率下的非线性效应制约移相器功率容量。当输入功率超过60kW,移相器插入损耗随功率增大迅速增加,理论分析与实验结果相符。

简介：针对第9路激光系统进行了软边光阑设计。首先编制了第9路激光系统光路传输模拟程序，通过计算“神光”-Ⅱ光路作为验证，以保证程序可用性。在传输模拟程序中，考虑了激光系统各级放大器的增益不均匀性以及增益饱和因素。最后利用这个程序，研究软边光阑各个参数对光束质量的影响，设计适合第9路系统的软边光阑，使系统中光束的填充因子尽可能大，光场调制度尽可能小。

简介：随着高功率固体激光器的迅速发展，对激光器的输出能力、稳定性、寿命等都提出了较高的要求。大口径光学元件是激光器的关键元器件，激光器要在高通量下运行需要它具有较高的抗损伤本领。决定光学元件抗损伤能力的因素除材料本身和制造工艺外，另一个重要的因素就是其表面的污染。理论和实验均表明，光学元件表面的污染物会降低抗损伤能力，提高光学元件表面的洁净水平能有效地提高抗损伤能力。