简介:描述了一种采用HPGe探测器γ能谱法无损测量核材料铀样品并计算样品的生产(纯化)年龄与同位素丰度的方法。该方法不需要其他任何标准源或参考源,对样品的形态(固体、液体)和形状没有限制,由铀样品自身所含多γ射线核素的γ能峰来刻度相对峰效率曲线,由能峰计数率、相对效率、γ射线发射概率等参数确定铀同位素的比值,由^234U与其衰变子体214Bi的活度比值计算其生产年龄。对一个铀总量约5g、^235U浓缩度约90%的24mL液体铀样品,用两套HPGe探测器分别测量不同能区范围的γ能谱:在平面型探测系统获取的低能区能谱中,用^235U的γ能峰刻度相对峰效率曲线,计算了^234U、^228Th(232U子体)与235U的相对比值;在同轴型探测系统获取的高能区能谱中,用^228Th及其子体的γ能峰刻度相对峰效率曲线,计算^238U、^214Bi与^228Th的相对比值,综合计算得到铀样品生产年龄(-32a)及铀同位素丰度,并与样品经过放化分离后,质谱法测量得到的结果进行了比较,生产年龄与丰度比偏差均在5%以内符合。
简介:P225.294021104脉冲激光测距中电子精密测量=Electronicaccuratemeasurementinpulselaserrange-finding[刊,中]/魏余灵,于善智,刘家鸣,刘桐镇(山东省激光研究所)//电子测量与仪器学报.-1993,7(1).-58~63阐述了恒定时触发器及计时内插扩展技术在脉冲激光测距中精度的提高及误差分析。图7参3(严寒)TB92194021105外腔半导体激光器大尺寸无导轨测长研究=Aresearchonlarge-scalemeasurementusingexternal-cavitysemiconductorlaser[刊,中]/武勇军,李达成,曹芒(清华大学精仪系),张汉一(清华大学电子工程系)//中国激光.-1993,A20(12).-906~909利用平面镜外腔半导体激光器和连续调频波技
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)