简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：底片是射线检测的评判依据，但是容易受到环境的影响而发生变化（发霉、污损）；生产中大量的底片也不便管理和查阅。将底片数字化，可以实现无失真存储，稳定性高，更便于交流和分析，利用数字图像处理技术可对缺陷进行定量分析。

简介：通过强力磁铁把磁感应强度提升到10~（-1）T数量级,基于Arduino单片机,运用拉力传感器来精确测量通电导体杆受到的微小安培力,精确度可达到10~（-5）N数量级。在探究安培力与导体杆长度、磁感应强度、电流大小定量关系时,实验误差分别为0.7%、1.9%和4%,并且安培力与各因素间具有良好的线性关系。同时,该装置还能探究安培力的方向,定性分析电流方向与磁感应方向之间的夹角对安培力的影响。该方法在物理教学、学术研究平台、科普展等方面有潜在的应用前景。

简介：给出一种借助数字化光照度传感器可定量探究光波的横波性以及鉴别白糖水具有旋光性的自组装仪器,使实验具有形象、直观、测量光照度精确、实验结果易分析等特点。实践证明,用该仪器进行光的偏振实验可以提升物理图像的可视化,使学生更好的的理解光的偏振原理。

简介：本文采用简单方法,从现象到本质,从特殊到一般,对多普勒效应进行了系统分析,逐步推导出多普勒效应定量公式;为了易于理解,通过举例说明其应用。

简介：通过研究BaF2晶体经中子辐照后的荧光发射谱,对它们的变化规律进行了解释。探讨了BaF2晶体经中子辐照后出现的现象和机理。

简介：随着涡流检测技术的不断发展，不仅要求准确检测出缺陷，且还需对缺陷进行定量、定性评价。涡流检测中阻抗信号变化是进行缺陷检测和定量分析的依据：测量或计算缺陷的阻抗信号，称为涡流检测的正向问题；从阻抗信号推断出缺陷的定量定性特征，则是逆向问题。借助于有限元模拟方法，对涡流检测时的正向问题进行了求解计算；利用傅里叶变换和神经网络方法，对涡流检测时的逆向问题进行了分析。

简介：总结比较了国内外利用高亮度γ源进行核共振荧光（nuclearresonancefluorescence,NRF）研究的最新成果,从理论上分析了NRF的反应截面,介绍了利用Geant4对NRF过程的蒙特卡罗模拟,通过比较不同激发光源下得到的NRF实验结果,说明了激光康普顿散射源在NRF研究中的优势。介绍了NRF实验中常用的背散射探测方法和透射探测方法,分析比较了不同探测器的性能。最后,展望了未来NRF的研究方向。

简介：本文基于迈克尔逊干涉光路,采用硅光电池作为传感器,检测橡胶板的内部气泡尺寸.该方法在橡胶板上粘贴反射铝膜,采用抽真空或加热的方法,使橡胶板内部气泡发生膨胀,从而使干涉条纹随着表面形变发生移动.基于硅光电池对于光强变化的快速响应,示波器可采集干涉条纹的移动电压脉冲信号,从而计算出橡胶板表面微小形变尺寸.

简介：利用F-2500FLSpectrophotometer荧光分光光度计测定了不同浓度下二苯乙烯三嗪型荧光增白剂（VBL）溶液体系的吸收光谱,分析了吸收光谱特性随荧光增白剂溶液体系浓度的变化规律,得到了吸收谱峰值I.（或吸收谱峰值的对数Log（Imax））及吸收谱起始波长S两组新的反映荧光增白剂溶液体系浓度的敏感参量,并给出了利用该敏感参量进行荧光增白剂溶液体系浓度的检测方法.

简介：文章介绍了用光学信息论的熵方法，在固定条件下，通过定量计算同一被摄物，在散乱射线不同的情况下，ｘ射线照相底片的信息量。而有效地评价散乱射线对底片象质影响。

简介：用微波高温固相法合成了Er^3+单掺Lu2O3,Li^+与Er^3+共掺Lu2O3及Li^+,Zn^2+,Mg^2+掺杂Lu2O3∶Er^3+的荧光粉。实验表明金属离子Li^+、Zn^2+、Mg^2+、Er^3+掺杂Lu2O3,不影响Lu2O3的立方晶相。扫描电子显微镜测量表明,Li^+掺杂可以有效改善粉体的分散性和形貌,Li^+,Zn^2+,Mg^2+共掺杂获得的粉体颗粒分布更加均匀,粒径范围为80~100nm。379nm激发下,Li^+与Er^3+共掺样品发光较单掺Er^3+样品在565nm处的发光增强了4.5倍,而Li^+、Zn^2+、Mg^2+与Er^3+共掺样品较其发光增强5.3倍。980nm激发下,Li^+与Er^3+共掺样品,Li^+、Zn^2+、Mg^2+与Er^3+共掺样品的发光分别比单掺Er^3+样品在565nm处发光增强23倍与39倍,在662nm处发光强度分别增强20倍与43倍。379nm激发下,较单掺Er3+的样品,掺杂Li^+的样品和Li^+,Zn^2+,Mg^2+和Er^3+共掺的样品荧光寿命均有所增加,而Zn^2+、Er^3+共掺及Mg^2+、Er^3+共掺样品的荧光寿命则有所缩短。