学科分类
/ 1
14 个结果
  • 简介:基于随机介质的谱分解理论,建立了二维多孔介质的细观模型,发展了多孔介质传热问题的多松弛格子Boltzmann方法求解算法,模拟了恒定热流加载下含基体孔隙复合材料的传热过程,计算了碳化硅多孔材料的等效热导率。结果表明,多孔介质的传热过程与孔隙率、孔隙结构密切相关,孔隙率越大材料传热性能越差,等孔隙率条件下,多孔介质沿某一方向的等效热导率随该方向孔隙自相关长度的增加而变大。

  • 标签: 多孔介质 细观模拟 格子BOLTZMANN方法 等效热导率
  • 简介:本文以石河子大学理学院力学实验室为例,介绍了利用FB210C型复摆实验仪和钢板刀架复摆装置研究复摆特性的详细过程,并对两种测定结果进行对比和分析,讨论了两种实验装置的数据处理及不确定度的评定方法,分析了测量过程中的误差来源及减小误差的方法.

  • 标签: 复摆 重力加速度 不确定度 误差分析
  • 简介:光敏电阻存在延时特性,光敏电阻的响应时间随着光强的增大而减小,而且与光源有关。通过Origin软件比较几种光源的Δt-E图,得出手机光源曲线平滑,精确度较高,可以作为研究光敏电阻延时特性的一种有效光源。

  • 标签: 光敏电阻 不同光源 响应时间 光照强度 延时特性
  • 简介:为系统分析典型材料的中子屏蔽性能,指导射线屏蔽防护设计,采用蒙特卡罗方法计算了不同厚度的聚乙烯、含硼聚乙烯、铁及普通混凝土对不同能量中子的反射因数、透射因数及吸收因数。结果表明,中子反射因数和吸收因数均随屏蔽体厚度的增大而增大,当屏蔽体厚度增加到一定值时,中子反射因数和吸收因数均趋于饱和。中子饱和反射因数主要受中子截面随能量的变化规律影响,中子总截面随能量减小而增大的屏蔽材料,其饱和反射因数较小,聚乙烯、普通混凝土和铁对1MeV中子的饱和反射因数分别为41.0%,71.3%和84.3%;屏蔽材料的中子饱和反射厚度与中子在屏蔽材料中自由程的比值,随中子饱和吸收因数的增大而减小。

  • 标签: 中子屏蔽 反射因数 吸收因数 透射因数 蒙特卡罗模拟
  • 简介:目的:圆形射流在实际工程中有着重要应用。本文旨在探讨弗劳德数(Fr)、跌坎高度和淹没度的变化对有界圆形射流时均流速在主流方向、横向和垂向上的衰减扩散规律的影响,对圆形射流的现有研究成果作进一步的补充。创新点:1.推导出圆形跌坎射流主流方向上流速与射流距离之间的关系;2.综合考虑了不同Fr、跌坎高度和淹没度对有限空间内的圆形射流流速分布的影响。方法:1.通过理论推导,验证流速测量方法的可行性和合理性;2.通过试验的方法,分析Fr、跌坎高度和淹没度的变化对圆形射流时均流速衰减和扩散的影响规律。结论:1.得出圆形射流主流方向流速衰减的公式;圆形射流的横向流速分布与高斯、柯西-洛伦兹分布吻合较好。2.当Re〉1×10^4时,Fr变化对流速衰减影响较小。3.当X/d〈10时,横向和垂向流速扩散与主流方向的距离呈二次方关系。4.时均流速最大值的位置与Fr和S/d无关。

  • 标签: 圆形射流 流速衰减 Fr 跌坎高度 淹没度
  • 简介:为研究热场致电子发射过程中复杂的非线性空间电荷限制效应和阴极表面电场的瞬态物理过程及特性,基于通用积分形式的热场致电子发射电流密度理论,建立了平板二极管的静电粒子模拟物理模型,以热场致电子发射阴极为边界,模拟获得了热场致发射阴极表面电场的瞬态时间响应曲线。研究结果表明,热场致电子发射过程中,阴极表面电场在皮秒量级时间尺度上呈现为振荡过程,振荡波形特征受二极管间隙距离、阴极材料、逸出功等几何参数和外加电场、温度等运行参数影响;振荡后,二极管阴极表面电场将达到稳定状态,模拟得到的稳态电场与理论分析结果相符;二极管热场致电子发射的外加电场和温度一定时,逸出功越大,阴极表面稳态电场强度越大;二极管阴极材料和外加电场一定时,阴极表面稳态电场强度取决于阴极表面的温度,随温度的升高稳态电场强度呈非线性下降。

  • 标签: 热场致电子发射 阴极表面电场 瞬态响应 粒子模拟
  • 简介:对比了顶部凹陷锥柱形隔膜和无顶部凹陷结构锥柱形隔膜的翻转特性,分析了凹陷深度、锥角、隔膜厚度等结构特征参数对顶部凹陷锥柱形隔膜翻转特性的影响规律。结果表明:凹陷深度只会影响隔膜翻转的初始屈曲状态,锥角主要对后屈曲状态产生影响,隔膜厚度则对整个翻转过程产生影响。与无顶部凹陷锥柱形隔膜相比,顶部凹陷锥柱形隔膜更容易出现偏心、褶皱等失效行为。

  • 标签: 顶部凹陷结构 隔膜翻转 屈曲 后屈曲
  • 简介:实验研究了大气环境下纯铁薄片样品在1070nm连续激光辐照下的耦合特性变化规律,并通过控制激光辐照时间获得了不同反射率和氧化状态的纯铁氧化层样品。利用椭偏光谱法研究了不同氧化状态纯铁氧化层在1070nm处的折射率和消光系数,基于椭偏反演结果和氧化层的微观形貌,提出了激光辐照下初期生成的α-Fe2O3氧化层等效折射率随膜厚变化的分段表征,并进一步修正了计算金属氧化层激光反射率的多光束干涉模型。利用修正后的模型计算了纯铁在激光辐照过程中的反射率变化规律,与实验结果吻合较好。

  • 标签: 反射率 激光辐照 氧化层 光学常数 椭偏光谱
  • 简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

  • 标签: TCAD仿真 深亚微米MOS器件 总剂量辐射效应 辐射陷阱电荷
  • 简介:建立了等效基带模型的频域方法,分析了大口径反射面天线微波短脉冲辐射特性,理论推导了辐射场基带波形的重构方法。以Ku波段4.5m口径的单反射面天线为例进行仿真验证,重构出天线主瓣、3dB波束方向、第1,2,3旁瓣的辐射场基带波形。仿真结果表明:在主瓣和3dB波束方向辐射场波形与辐射源基带波形完全一致,但是第1,2,3旁瓣辐射场波形出现轻微畸变。

  • 标签: 大口径天线 微波短脉冲 信号重构
  • 简介:基于地下强爆炸诱发出的具有独特性质的非线弹性摆型波的试验和理论证据,系统开展块系岩体中的非线性摆型波特性在核试验核查中的应用研究.利用自主研发的试验仪器,成功模拟出块系岩体介质中低频、低速的变形波——摆型波,并通过试验揭示了冲击扰动作用下非线性摆型波产生的力学机理与传播规律,同时还研究了由摆型波传播诱发岩块的不可逆位移、动力滑移失稳的条件.通过构造冲击扰动下岩块振动的等效振动能量表达式及变分原理,提出了摆型波传播的特征能量因子,利用特征能量因子临界阈值界定了地下爆炸不可逆位移范围.结合卫星侦察等爆炸后效应监测手段,可对地下核爆炸的当量和埋深进行有效评估,为地下大当量核爆炸试验核查提供一种新的技术手段.

  • 标签: 摆型波 冲击扰动 地下核爆炸 核试验核查
  • 简介:目的:探讨作用于大跨度曲面屋盖非定常气动力的特性,为考虑非定常气动力影响的大跨度曲面屋盖抗风设计提供理论参考。创新点:1.采用强迫振动试验;2.采用大涡模拟(LES)流入脉动风的生成方法;3.研究大跨度曲面屋盖非定常气动力特性。方法:1.通过强迫振动风洞试验方法探讨风速、强迫振动振幅、屋盖的矢跨比和缩减频率对非定常气动力的影响;2.采用计算流体力学数值模拟重现风洞试验,从而在更宽的缩减频率范围内分析非定常气动力的特性,并且通过可视化流场的分析探讨风与屋盖相互作用的机理。结论:1.屋盖的振动对屋盖表面的风压分布影响较大。2.屋盖的振动可能抑制屋盖背风面漩涡的脱落。3.根据风洞试验和数值模拟的结果分析得到的矢跨比、风速和振动振幅对气动阻尼系数和气动刚度系数的影响较小;气动阻尼系数和气动刚度系数主要随着缩减频率的变化而变化。4.气动刚度系数为正值,使得结构的总刚度减小,从而减小结构的固有频率;气动阻尼系数为负值,使得结构总阻尼增加。5.风洞试验和LES模拟结果的一致性可以说明,LES是一个能够有效研究非定常气动力特性的数值模拟方法。

  • 标签: 大涡模拟 大跨度曲面屋盖 非定常气动力 风洞试验 强迫振动试验
  • 简介:通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni(PZT/Ni)复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪(X-raydiffraction,XRD)表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明:随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。

  • 标签: PZT/Ni 鼓包法 多场耦合 弹性模量 矫顽场
  • 简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT