简介：为系统分析典型材料的中子屏蔽性能,指导射线屏蔽防护设计,采用蒙特卡罗方法计算了不同厚度的聚乙烯、含硼聚乙烯、铁及普通混凝土对不同能量中子的反射因数、透射因数及吸收因数。结果表明,中子反射因数和吸收因数均随屏蔽体厚度的增大而增大,当屏蔽体厚度增加到一定值时,中子反射因数和吸收因数均趋于饱和。中子饱和反射因数主要受中子截面随能量的变化规律影响,中子总截面随能量减小而增大的屏蔽材料,其饱和反射因数较小,聚乙烯、普通混凝土和铁对1MeV中子的饱和反射因数分别为41.0%,71.3%和84.3%;屏蔽材料的中子饱和反射厚度与中子在屏蔽材料中自由程的比值,随中子饱和吸收因数的增大而减小。

简介：针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究.通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱的影响机制.结果表明：HgCdTe材料经电子辐照后,红外透射光谱发生衰退,衰退的幅度随辐照注量的增大而增大,且短波方向上的衰退幅度大于长波方向上的衰退幅度.该工作可为深入开展HgCdTe红外探测器辐射损伤效应及损伤机理的研究提供参考.

简介：通过建立多电子枪模拟空间能谱等离子体环境的试验方法,完成了单麦克斯韦和双麦克斯韦等离子体环境下,Kapton材料和太阳电池玻璃盖片表面电位测试试验。研究表明,试验结果和NASCAP/GEO软件计算结果一致性较好,验证了采用多电子枪模拟空间能谱等离子体环境试验方法的有效性和准确性。

简介：介绍了国内外极低辐射本底实验现状,总结了对材料放射性筛选的要求和实现手段,给出了相关实验中探测器、屏蔽体、电子学部件等材料的放射性水平。可以看出,筛选材料放射性的手段,主要有低本底γ谱仪分析、辉光放电质谱分析及电感耦合等离子体质谱分析;对大部分材料的放射性比活度要求在mBq·kg^-1量级;对探测器材料和内部屏蔽体材料铜的放射性要求更高,放射性比活度需达到0.1-1μBq·kg^-1。

简介：理论计算了Q345R、0Cr18Ni9、2A12、玻纤复合板和芳纶复合板五种材料对γ射线的衰减系数。结果表明：在相同厚度下,纤维复合板对γ射线的衰减系数均小于Q345R、0Cr18Ni9和2A12的衰减系数,芳纶复合板的衰减系数仅为Q345R衰减系数的20%。同时,利用60Co辐射装置测定了2A12、玻纤复合板和芳纶复合板对γ射线的衰减系数,实测值与理论估算值基本一致。此外,还比较了不同材料的受压筒体对γ射线的衰减性能,结果显示：纤维复合材料的筒体对γ射线有良好的透过性。

简介：为了研究奥氏体钢作为中国聚变工程实验堆第一壁候选结构材料时的蠕变寿命,利用有限元方法和Larson-Miller蠕变寿命外推模型,结合奥氏体钢的辐照后蠕变断裂实验数据,探讨了热流密度、壁厚和冷却剂入口温度等参数对蠕变寿命的影响,分析比较了AISI316、冷加工AISI316及含Ti冷加工15-15Ti的辐照后蠕变性能。结果表明：奥氏体钢的辐照后蠕变寿命随热流密度、壁厚和冷却剂入口温度的增大而减小;冷加工处理并没有提升奥氏体钢的辐照后蠕变寿命,而含Ti冷加工15-15Ti具有较优异的辐照后蠕变性能。

简介：通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_（0.52）Ti_（0.48）O_3/Ni（PZT/Ni）复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪（X-raydiffraction,XRD）表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明：随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。

简介：研究了钙钛矿太阳能电池材料CH3NH3PbI3（CH3NH3=MA,MAPbI3）的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现：MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。