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  • 简介:台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐,位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房,将同时兴建,预计2013年完工,这二座新厂,未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。

  • 标签: 纳米制程 电积 台积电 晶圆
  • 简介:IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布:他们将在高k金属栅(HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统(SoC)设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布:将利用公共平台HKMG32纳米/28纳米技术独特的特性,开发定制化的物理IP,以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

  • 标签: ARM公司 纳米 三星电子 IBM SOC 开发团队
  • 简介:ARM与展讯日前共同宣布,展讯取得ARMPOP处理器优化套件IP在内的完整ARMArtisan实体IP技术授权,此后展讯将能就ARM所支援的广泛IC代工选择以及多样化的28nm制程,开发出最富有弹性的制造方案。

  • 标签: IP技术 ARM 开发 授权 实体 芯片
  • 简介:AvagoTechnologies宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗,这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率,并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。

  • 标签: SERDES CMOS工艺 性能 串行 解串器 连接端口
  • 简介:台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28纳米工艺所面临的新设计挑战,并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。

  • 标签: 芯片设计 参考流程 纳米工艺 台积电 先进设计方法 创新平台
  • 简介:日前,意法半导体宣布其在28纳米FD—SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术,这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。

  • 标签: 制程技术 SOI 纳米 FD 投产 晶圆