简介：<正>继"汉芯一号"在去年上半年问世后,我国具有完全自主知识产权的"汉芯二号"和"汉芯三号"日前在沪宣布诞生。据悉,"汉芯二号"和"汉芯三号"都是高端的芯片,其中"汉芯二号"是我国首颗以IP专利授权的方式进入国际市场的"中国芯",国外公司在其产品中每嵌入一片"汉芯二号",

简介：北京汉仪科印信息技术有限公司于2005年8月推出了30款OpenType字库-汉仪宝典之开元字宝1．0版。

简介：2006年美国国际半导体设备与材料展览会上参观汉高展台的领先封装公司将目睹定将为现代封装工艺传递新水平成本和生产效率的多项创新型材料技术。第一项产品——HvsolQM1536NB是一种专为要求具备极低应力和稳固机械性能的堆叠晶片应用而开发的新革命型附晶材料。该材料可用于多种无铅环境，并提供了一种对附晶进行贴膜的可选途径。HysolQM1536NB传递了新的供应链效率水平，从而使用户得以将一种单一材料用于多种堆叠晶片封装。按惯例，不同附晶材料用于不同层数的堆叠式封装，从而避免损害首粒晶的晶粒钝化效果。然而，通过其独特的低渗透保护式设计，HysolQM1536NB可同时用于子母晶，从而简化了生产流程，并降低了成本。

简介：汉高集团电子部日前推出几款新型液态助焊剂MulticoreMF101，MF200，MF300及MFR301，以满足当今先进的电子产品应用中特定的需求。

简介：近两年,随着以光伏太阳能发电(PV)为标志的全球绿色能源经济的兴起,中国在全球太阳能硅片及太阳能组件的生产领域逐渐上升为全球第一大国。2010年12月,财政部、科技部、住房和城乡建设部、国家能源局等四部门联合在北京召开加快推进国内光伏发电规模化应用会议,公布了首批13个光伏发电集中应用示范区名单,并确定2012年以后每年国内应用规模不低于1000兆瓦,形成持续稳定、不断扩大的光伏发电应用市场。2010年中国光伏太阳能行业有哪些重要进展?中国光伏行业前景如何?中国光伏企业如何保持持续运营?具有传统优势的材料供应商,又将在这一新兴行业有何作为及贡献?本刊特邀汉高光伏解决方案市场经理TomAdcock为我们解读2011年中国光伏行业发展趋势。

简介：汉高开发并商业化了一种与铜引线框并用的新型附晶焊膏——HysolQMI708^TM。

简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

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简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：摘要二号线运营期间，华为鼎汉故障时有发生，对运营效率造成了不小的影响。如果电源屏发生故障，大到市电输入故障会造成整个联锁区设备不能工作联锁系统全部瘫痪，小到模块故障会影响联锁区部分设备不能正常工作。为了改善二号线电源屏故障时有发生的情况，降低电源屏故障对运营的影响，分析近年来二号线电源屏故障的情况，提出有效的措施，降低电源屏故障发生率，保障地铁高效稳定的运营。

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