简介：

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简介：介绍了在液相中连续生产１，１，１，３，３，３，－六氟丙烷（ＨＦＣ２３６ｆａ）和／或１－氯－１，１，３，３，３－五氟内烷（ＨＣＦＣ２３５ｆａ）的工艺，反应中使用ＨＣＦＣ－２３５ｆａ和／或ＨＦＣ２３６ｆａ作为溶剂。当反应是在ＳｂＦ３、ＳｂＦ５或ＳｂＦ５和ＨＳＯ３Ｆ的混合物催化剂存在下进行时，反应物料对所用容器的腐蚀非常低。

简介：高效长周期地制备了用以往工业规模难于制备的１，１，１，３，３－五氟丙烷。在５价锑的卤化物作第一成分，其它金属卤化物作第２成分的氟化触媒存在下，用氟化氢氟化１，１，１，３，３－五氯丙烷制备了１，１，１，３，３－五氯丙烷。

简介：介绍了由分子式为C3HyClx的化合物制备1，1，1，3，3－五氟丙烷的生产过程，这里x是3－5的整数，y是1－3的整数，且x+y=4、6或8，x-y=2。

简介：介绍了氢氟烃CF4CH2CHF2的生产工艺。该过程包括：有催化剂存在时于气相中在较高温度下对CF3CH2CF3脱氢氟化。该催化剂包括：（1）氟化铝；（2）氟化氧化铝；（3）含氟离子的3价铝化合物上载的金属；（4）氟化镧；（5）氧氟化镧；（6）含氟离子的2价镧化合物上载的金属；（7）价铬化合物，和／或（8）由（a)、（b）随意加入组成的，（a）选自镁、锌、或镁锌混合物的氧化物、氟化物和氧氟化物的至少一种化合物，（b）至少一种铝的氧化物、氟化物和氧氟化物，且上述催化剂中铝相对镁和锌总量的摩尔比为约1：4或更少。通过上述工艺生产的产品中含CF3CHCF2和HF；有HF存在时，在含氢气相中于氢化催化剂上氢化CF3CHCF2生成CF3CH2CHF2。

简介：1，1，1，3，3，3－六氟丙烷和含至少一种不饱和氟烃的混合物经蒸馏后再提纯得到1，1，1，3，3，3－六氟丙烷含量超过99.9%、不饱和氟烃含量低于0.01%的产物。该方法为：（1）混合物与氯反应对不饱和氟烃进行饱和；（2）水洗反应混合物脱除乘余的盐酸和氯；（3）除水；（4）对反应混合物进行蒸馏得到1，1，1，3，3，3－六氟丙烷纯度超过99.9%、不饱和氟烃含量低于0.01%的产物。

简介：每种进出口商品．在各国海关报关时都有一个专属号码．这就是税则号。据了解．从2007年1月起．许多进出口商品就要换个新税则号了。这是加入世贸组织五年来我国首次对海关税则进行重大调整。据了解．从明年起．我国将对近三分之一的现行海关税则号进行重大调整，涵盖1888个大类的进出口产品。

简介：给出用硫酸从含杂质的1，1－二氟乙烷中脱除出不饱和卤烃的方法，本方法尤其适用于从1，1，－二氟乙烷中脱除不少于1种含2个碳原子的不饱和卤烃如氯乙烯、氟乙烯及其混合物。

简介：本发明是关于1－氯－1，1，3，3，3－五氟丙烷（HCFC－235fa)的制备，HCFC－235fa是制备1，1，1，3，3－五氟丙烷（HFC－245fa)的中间体。本发明还关于HFC－245fa的制备方法：包括在气相或液相中，氟化催化剂存在下，CCl3CHCCl3和HF反应生成HCFC－235fa在还原剂催化剂存在下，与氢反应生成HFC－245fa。

简介：本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。

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简介：本文在简析公共关系功能式定义与概括式定义的基础上,补充了结构式定义,并阐述了结构式公共关系定义的特征及现实意义。

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简介：本发明提供了一种通过氯三氟乙烯调聚反应生产1，1，3，4－四氯六氟丁烷，然后还原该化合物得到1，1，2，3，3，4－六氟丁烷的方法。

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简介：江苏省氯碱行业发展概况;欧盟REACH法规对我国氯碱行业的影响及应对策略;我国离子膜法烧碱现状分析与发展对策;氯碱下游产品清洁生产工艺进展;

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