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  • 简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)匹配关系。结果表明,经充分氮化衬底上,GaN以单一匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)几种匹配方式晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)晶格失配、释放界面应变重要机制之一。

  • 标签: 匹配机制 氮化 GAN MOCVD 晶格匹配 氧化铝衬底