简介：摘要磨削工艺直接影响着磨削后晶片的表面质量、几何参数等指标，本文分析了磨削工艺中砂轮粒径、砂轮进给率、砂轮转速及工作台转速对硅片表面层损伤深度的影响，通过抛光后硅片的氧化层错分析，优化了磨削技术。
磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响
