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磨削工艺对晶片表面层损伤深度的影响

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摘要摘要磨削工艺直接影响着磨削后晶片的表面质量、几何参数等指标，本文分析了磨削工艺中砂轮粒径、砂轮进给率、砂轮转速及工作台转速对硅片表面层损伤深度的影响，通过抛光后硅片的氧化层错分析，优化了磨削技术。

DOI 34g307l0d9/2484155

作者宋晶李春龙常耀辉刘洋

机构地区 (中国电科第四十六所天津市300220)

出处《电力设备》 2017年29期

关键词磨削表面层损伤深度表面质量

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2017年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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